表面活性劑在多晶硅片制絨中的應(yīng)用研究.pdf

1、本文對(duì)表面活性劑在多晶硅片制絨中的應(yīng)用進(jìn)行了研究。多晶硅太陽(yáng)能電池表面的化學(xué)制絨法可極大地提高電池的光電轉(zhuǎn)化效率，而且成本低，適合工業(yè)化生產(chǎn)。但是傳統(tǒng)的酸性制絨體系反應(yīng)速度不易控制、所得絨面容易有暗紋、不夠均勻且絨面反射率偏高，所以本文利用掃描電鏡(SEM)和紫外可見近紅外分光光度儀，研究了HF/HNO3、NaNO2/HF/H2O、HF/HNO3/H2O和KMnO4/HF/H2O四種制絨體系反應(yīng)配比、反應(yīng)時(shí)間和是否加入表面活性劑對(duì)絨面反

2、射率的影響，探索表面活性劑加入前后絨面反射率的變化規(guī)律。在HF/HNO3/H2O體系中，增加制絨體系中HNO3的含量，制絨液的氧化能力增強(qiáng)，表面活性劑會(huì)被氧化而失去了相應(yīng)的功能，反應(yīng)出現(xiàn)過(guò)度腐蝕的情況，制得的絨面反射率比原始硅片還要高。降低HNO3的含量可獲得較好效果，HF/HNO3/H2O比例為1/1/2，表面活性劑(Ⅰ)0.60 g，冰水浴中制絨反應(yīng)2 min，反射率20.47％。HF/HNO3體系不加入添加劑會(huì)出現(xiàn)過(guò)度腐蝕。加入表

3、面活性劑可獲得較好的減反射效果，HF/HNO3比例為3/1，表面活性劑D0.60 g，冰水浴中制絨反應(yīng)1 min，反射率18.38％。提出了新型KMnO4/HF/H2O和NaNO2/HF/H2O制絨體系，研究表明在這兩種新體系中加入表面活性劑后，硅片反射率均有降低。KMnO4/HF/H2O和NaNO2/HF/H2O體系獲得最優(yōu)減反射效果的配方如下:KMnO4/HF/H2O/surfactant D=3.60 g/30 mL/210mL/