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文檔簡介
1、過渡金屬釩與氧結(jié)合可以形成多種價態(tài)的氧化物,在光學(xué)和電學(xué)方面展現(xiàn)出獨特和優(yōu)異的性質(zhì),是目前國內(nèi)外的研究熱點。氧化釩薄膜在光電開關(guān)、光學(xué)存儲介質(zhì)和紅外探測器方面有較高的應(yīng)用價值和良好的發(fā)展前景。
本課題實驗采用了直流反應(yīng)磁控濺射的方法,以K9實驗玻璃為襯底制備了金屬釩薄膜、氧化釩薄膜、摻Y(jié)氧化釩薄膜、摻Ti氧化釩薄膜和W/Ti共摻雜氧化釩薄膜。本文探索了反應(yīng)磁控濺射方法制備金屬薄膜、非摻雜和摻雜氧化釩薄膜的工藝條件,重點對制備的
2、薄膜進(jìn)行了相關(guān)的測試與表征分析,如:電阻溫度關(guān)系、掃描電子顯微鏡、交流阻抗譜、X射線衍射譜、X射線光電子能譜等。
通過實驗研究,本文得出了氧化釩薄膜的最佳制備工藝,即氧氬比為100:4,濺射電流為0.32A,基片溫度為100℃。這樣的工藝條件下制備的氧化釩薄膜在60~70℃范圍內(nèi)出現(xiàn)相變特性,具有2~3個相變數(shù)量級。實驗制備不同基片溫度的氧化釩薄膜,通過交流阻抗譜分析研究表明,隨著基片溫度升高,薄膜的晶粒尺寸變大,晶粒阻值貢獻(xiàn)
3、度增大。實驗制備了金屬釩薄膜,對其進(jìn)行高溫退火處理,大氣環(huán)境下450℃高溫退火1.5h,獲得了較高電阻溫度系數(shù)(TCR)的氧化釩薄膜,并對薄膜進(jìn)行了X射線衍射譜表征分析。
研究表明,實驗制備的二氧化釩薄膜在68℃左右發(fā)生相變,相變前后薄膜的電學(xué)和光學(xué)性能都反生劇烈變化。當(dāng)最佳工藝條件不變時,在氧化釩薄膜制備過程中摻雜Y、Ti等元素,薄膜的結(jié)構(gòu)和電學(xué)性能發(fā)生明顯變化。摻入Y元素,由XPS分析得出隨Y元素的摻入薄膜中O元素和V元素
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