氧化釩熱敏薄膜的制備及結(jié)構(gòu)性能研究.pdf

1、VO2是一種熱敏功能材料，在68℃會(huì)發(fā)生從單斜結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體相向金紅石結(jié)構(gòu)金屬相的可逆轉(zhuǎn)變，同時(shí)伴隨著光學(xué)、電學(xué)等性能的突變，其在光電開關(guān)、光存儲(chǔ)、非制冷紅外、智能窗等諸多方面有廣闊的應(yīng)用前景，使得VO2薄膜的制備及性能的研究成為研究熱點(diǎn)。
　　第一章介紹了VO2的晶體結(jié)構(gòu)，相變機(jī)理及性能，并闡述VO2薄膜作為一種新型薄膜材料的應(yīng)用前景。
　　第二章介紹了VO2薄膜的常用制備方法，重點(diǎn)介紹了本文實(shí)驗(yàn)采用的磁控濺射法的鍍膜機(jī)理及制

2、備VO2薄膜的實(shí)驗(yàn)過(guò)程，實(shí)驗(yàn)中采用的薄膜表征檢測(cè)技術(shù)。
　　第三章研究直流磁控濺射法制備VO2薄膜的工藝，重點(diǎn)研究了氧分壓，濺射時(shí)間及基底對(duì)薄膜相變性能的影響，結(jié)果表明：當(dāng)濺射功率為100W，濺射氣壓為1.5Pa，氧分壓為3%，濺射時(shí)間為1h，并在氮?dú)庵?50℃退火保溫2小時(shí)的薄膜樣品相變性能優(yōu)異，VO2含量最多。薄膜的可見光透過(guò)率隨著濺射時(shí)間的減少而增加。
　　第四章采用直流/射頻反應(yīng)磁控共濺射法制備了摻鎢的VO2薄膜及摻

3、鈦的VO2薄膜；采用直流磁控濺射法，通入氮?dú)庾鳛閾诫s源制備了摻氮的VO2薄膜。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明：摻鎢VO2薄膜的相變溫度降低到了37℃，摻鈦VO2薄膜的相變溫度升高到了67℃，而摻氮VO2薄膜的相變溫度為55℃，摻雜后VO2薄膜的相變性能都有所改變。
　　第五章采用直流磁控濺射法制備了TiO2/VO2雙層膜，還研究了在不同工藝下制備的TiO2緩沖層對(duì)VOx薄膜性能的影響。綜合上述研究成果，用直流磁控濺射法在玻璃基片上先沉積TiO2緩沖