Yb：YVO-,4-晶體原料制備及性能表征.pdf

1、Yb：YVO<,4>晶體具有化學和機械方面的優(yōu)良性能，以及泵浦閾值低、激光發(fā)射截面大的特點，是新型激光晶體的熱門材料之一。 為了生長出性能優(yōu)良的Yb：YVO<,4>激光晶體，工作中以制得較均勻、粒度小、分散性好的合適制備Yb：YVO<,4>激光晶體前期原料為目標，采用了溶膠一凝膠法與液相共沉淀法制備Yb：YVO<,4>粉體。 采用溶膠．凝膠法合成了Yb：YVO<,4>激光晶體的多晶前驅粉體。利用XRD、SEM、熒光光譜、

2、紅外光譜分析對Yb：YVO<,4>粉體進行了分析。實驗發(fā)現(xiàn)，穩(wěn)定溶膠．凝膠的形成受絡合劑、溶液pH值、反應溫度和凝膠干燥過程的影響；XRD分析結果表明：樣品屬于四方晶體結構，材料為四方晶系，其空間群為D<'19><,4h>-I4<,1>/amd，點群為D<,4h>，且隨著溫度的升高，粉體粒徑逐漸長大；SEM觀察發(fā)現(xiàn)，獲得了單分散、形狀規(guī)則類似球形的Yb：YVO<,4>粉體。燒結1000℃，8小時得到了YgO<,4>純相；從熒光光譜可以看

3、出熒光發(fā)射的最強峰位于1025.76nm處是Yb<'3+>的基態(tài)。<'2>F<,7/2>與激發(fā)態(tài)能級<'2>F>.5/2>躍遷導致的熒光發(fā)射。而采用化學共沉淀法所制備的合成YVO<,4>粉料的測試結果顯示：形成YVO<,4>純相燒結條件為800℃，8小時。 另外，我們還在工作中進行了5﹪at.、10﹪at.、20﹪at.、50﹪at.、100at．Yb<'3+>摻雜YVO<,4>的研究工作。其XRD，SEM分析的結果和采用這兩種