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文檔簡(jiǎn)介
1、 本文采用磁控濺射法制備硼納米晶體薄膜和硼納米非晶薄膜,掃描電子顯微鏡(SEM)觀察這些薄膜的表面形貌,能譜儀(EDS)和選區(qū)電子衍射(SAED)表征薄膜的成分,納米壓痕儀(Nanoindentor)測(cè)定薄膜的性能;同時(shí),在Au的催化作用下,使用磁控濺射法在硼薄膜上制備晶體硼納米線,SEM觀察納米線的形貌,EDS、TEM和能量損失譜(EELS)表征了納米線的成分;最后,系統(tǒng)研究濺射參數(shù)對(duì)納米線生長(zhǎng)的影響,對(duì)納米線的生長(zhǎng)機(jī)制也做了相應(yīng)的
2、研究。不同濺射氣壓下制備的硼納米晶體薄膜的表征結(jié)果表明,濺射氣壓的提高有利于薄膜致密化和納米硬度的提高,但對(duì)薄膜的彈性模量的影響不大。不同的基片溫度下制備的硼納米非晶薄膜的表征結(jié)果表明,隨著基片溫度的降低,薄膜上的納米顆粒逐漸分散,薄膜的彈性模量和納米硬度也隨之降低。最后,對(duì)制備的硼納米線樣品進(jìn)行了研究。研究結(jié)果表明,在Au觸媒的作用下,生長(zhǎng)晶體硼納米線的臨界溫度為600℃;提高基片溫度和濺射氣壓,延長(zhǎng)濺射時(shí)間有利于生長(zhǎng)大面積、直徑一致
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