磁控濺射法制備ZnO薄膜.pdf

1、本文采用射頻磁控濺射法在載玻片玻璃基片上制備了Li：ZnO薄膜，研究了磁控濺射功率、基片溫度、熱處理溫度、過渡層種類及厚度等工藝參數(shù)對ZnO薄膜結構及性能的影響，運用XRD、AFM、SEM、EDS、PL、光學透過率等測試手段對樣品進行了分析，結果表明：在無基片加熱的情況下，高濺射功率(550W)制備的薄膜呈現(xiàn)較好的(100)擇優(yōu)取向性，其定向指數(shù)達到0.752，而在較低的功率(200～380W)下濺射薄膜為(101)取向，定向指數(shù)達0.

2、799；在基片加熱至250℃，濺射功率200W時，制備的ZnO薄膜則表現(xiàn)為(002)擇優(yōu)取向性，定向指數(shù)為0.742。對三種擇優(yōu)取向薄膜的晶格常數(shù)的測試結果表明，(002)取向的晶胞較小，而(101)取向的薄膜晶胞最大，這主要是因為薄膜的擇優(yōu)生長方向主要取決于生長過程中原子的堆積方式的不同，從而導致材料中的各種缺陷的變化。(100)取向薄膜的PL譜以Li的雜質能級峰(399nm)為主，(002)取向的薄膜以Zni缺陷的能級峰(420nm