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文檔簡介
1、等離子體拋光技術(shù)是一種成本低、無污染、無廢棄物的新興超光滑表面加工方法,能夠獲得傳統(tǒng)加工方法難以達(dá)到的處理效果,已經(jīng)廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體工業(yè)及光學(xué)元件制造中,并且成為微電子學(xué)、光電子學(xué)和微光學(xué)元件制作領(lǐng)域中的關(guān)鍵技術(shù)。
本文以射頻低壓電容耦合等離子體拋光實(shí)驗(yàn)平臺為基礎(chǔ),研究了不同工藝參數(shù)下等離子體拋光的拋光效果與拋光速率,分析了射頻電源功率、氣體種類與流量對拋光效果的影響,并通過使用朗繆爾靜電探針與發(fā)射光譜診斷技術(shù)對等離子體特
2、性進(jìn)行了診斷,明確了等離子體特性與拋光后基片表面粗糙度及拋光效率的相互關(guān)系,初步揭示了等離子體拋光的機(jī)理。
實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明:使用氬等離子體拋光時(shí),石英玻璃的表面粗糙度與拋光效率隨著射頻電源功率的增加而增大,但射頻電源功率過大時(shí)純氬等離子體會對石英玻璃表面產(chǎn)生轟擊、濺射作用,破壞石英玻璃表面形貌;氬氣作為基底氣體為拋光過程中其他化學(xué)氣體的等離子反應(yīng)提供活性氛圍,六氟化硫?yàn)閽伖膺^程中的反應(yīng)氣體,含氟的等離子體能夠降低基片的表面粗
3、糙度;添加氧氣會對SF6/Ar等離子體的拋光效果產(chǎn)生影響,當(dāng)六氟化硫與氧氣的比例為1:1時(shí),拋光后的樣片表面粗糙度最低,表面粗糙度由1.43nm拋光至1.00nm;當(dāng)六氟化硫與氧氣的比例為2:1時(shí),拋光速率最高,可達(dá)3.6nm/min。
利用經(jīng)典探針理論計(jì)算出純氬等離子體的電子溫度隨射頻電源功率的增加而增加,分布范圍為2.41~5.03eV;電子密度隨射頻電源功率的增加而增加,分布范圍為1.2844~7.7893×1016
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