版權(quán)說(shuō)明:本文檔由用戶(hù)提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡(jiǎn)介
1、本文介紹了關(guān)于晶體中電荷補(bǔ)償離子格位選擇在稀土發(fā)光離子的4f→5d單光子光譜中的效應(yīng)以及介質(zhì)中發(fā)光中心的自發(fā)輻射壽命(速率)等方面的研究。本人的工作主要包括以下三個(gè)部分:運(yùn)用參數(shù)化哈密頓量方法研究有C<,4v>格位的F<'->/H<'->/D<'->進(jìn)行電荷補(bǔ)償?shù)腃aF<,2>:Ce<'3+>和CaF<,2>:Pr<'3+>體系的4f→5d激發(fā)譜;基于多體微擾理論計(jì)算鑭系離子4f<'N> ←→ 4f<'N-1> 5d躍遷電偶極矩;以及運(yùn)
2、用Ewald-Kornfeld晶格求和方法對(duì)介質(zhì)中局域場(chǎng)效應(yīng)模型的微觀模擬。 在第一部分中,我們介紹了fd躍遷的參數(shù)化哈密頓量方法,并利用M.F.Reid教授編寫(xiě)的基于該方法的擴(kuò)展f-shell程序,計(jì)算了C<,4v>格位的F<'->/H<'->/D<'->電荷補(bǔ)償?shù)腃aF<,2>:Ce<'3+>和CaF<,2>:Pr<'3+>體系的4f→5d激發(fā)譜,與實(shí)驗(yàn)吻合得很好。根據(jù)計(jì)算的結(jié)果重新指認(rèn)了光譜,例如在F<'->補(bǔ)償?shù)腃aF<
3、,2>:Pr<'3+>激發(fā)譜中以前指認(rèn)為L(zhǎng)格位激發(fā)的206nm和105nm譜帶實(shí)際上是來(lái)自于C<,4v>格位激發(fā)。分析表明,由于對(duì)稱(chēng)性從O<,h>降低到C<,4v>導(dǎo)致立方對(duì)稱(chēng)性下的E<,g>和T<,2g>譜帶都有很大的分裂,尤其是E<,g>軌道沿C<,4>軸向分布,受補(bǔ)償離子影響更大,譜帶分裂也更為明顯。H<'->/D<'->電荷補(bǔ)償?shù)淖V帶分裂相較于F<'->電荷補(bǔ)償更寬,E<,g>和T<,2g>譜帶的分裂均約為后者的1.5倍,這是由
4、于H<'->/D<'->具有更大的離子半徑,和周?chē)x子的電子排斥作用更大。此外基于疊加模型理論,我們還利用程序擬合給出的晶場(chǎng)參數(shù)半定量地計(jì)算了晶格畸變大小。 在第二部分中,我們首先介紹了多體微擾理論,并展示如何運(yùn)用此方法構(gòu)建自由離子的4f←→5d單光子電偶極矩躍遷有效算符(展開(kāi)到一階)。其一階有效算符包括正比于零階算符的單體修正項(xiàng)(比例系數(shù)為-δ)和一個(gè)較弱的二體修正項(xiàng)。有效算符的單體部分可以等價(jià)的對(duì)徑向積分進(jìn)行修正<5d|r|
5、4f><,eff>=(1-δ)<5d|r|4f>。我們運(yùn)用Relativistic Hartree-Fock從頭算方法,計(jì)算了二價(jià)和三價(jià)鑭系稀土離子的有效徑向積分<5d|r|4f><,eff>及二體修正因子。修正后的徑向積分減少了約35%(Ln<'3+>)和25%(Ln<'2+>),由此計(jì)算而得的壽命也基本符合實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)。徑向積分減小的主要貢獻(xiàn)來(lái)自于組態(tài)混合,尤其是5p<'5>4f<'N>5d<'1>混入4f<'N>組態(tài)和5p<'5>4f
6、<'N-1>5d<'2>混入4f<'N-1>5d組態(tài)的效應(yīng)。 最后一部分的工作主要是從經(jīng)典的微觀的角度出發(fā),運(yùn)用Ewald-Kornfeld求和方法,計(jì)算發(fā)光中心鑲嵌在具有周期結(jié)構(gòu)的介質(zhì)中的局域場(chǎng)效應(yīng)。純電介質(zhì)在外場(chǎng)作用下可以看作具有周期結(jié)構(gòu)的電偶極矩排列。利用Ewald-Kornfeld求和方法可以通過(guò)合理選擇參數(shù)η,使得在求解中涉及到長(zhǎng)程作用而須無(wú)限求和的(純介質(zhì)中各個(gè)格點(diǎn)的)局域電場(chǎng)能夠在有限范圍求和下快速收斂。然后分別通
7、過(guò)迭代方法計(jì)算單發(fā)光離子取代和內(nèi)含發(fā)光離子的納米顆粒取代兩種情況下,發(fā)光中心的局域電場(chǎng)和介質(zhì)中的宏觀電場(chǎng)的比值f對(duì)折射率n的依賴(lài)關(guān)系,并與虛腔和實(shí)腔模型進(jìn)行比較分析。結(jié)果表明:?jiǎn)蝹€(gè)離子取代時(shí),曲線落在實(shí)腔和虛腔模型之間,若取代后對(duì)周?chē)橘|(zhì)環(huán)境改變明顯,則更傾向于實(shí)腔模型,相反則傾向于虛腔模型;發(fā)光中心若處在真空腔體中,則腔體越大越接近實(shí)腔模型,大約在半徑為8倍晶格常數(shù)時(shí)與實(shí)腔模型理論值的誤差為10%;納米顆粒取代情況基本符合修正后的實(shí)腔
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶(hù)所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒(méi)有圖紙預(yù)覽就沒(méi)有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫(kù)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶(hù)上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶(hù)上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶(hù)因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- NII離子4f躍遷幾率和輻射壽命的理論研究.pdf
- 環(huán)境介質(zhì)對(duì)發(fā)光團(tuán)自發(fā)輻射衰減壽命的影響.pdf
- Yb-YAG碟片激光器放大自發(fā)輻射效應(yīng)的理論研究.pdf
- 量子相干介質(zhì)中自發(fā)輻射及相關(guān)特性的理論研究.pdf
- 動(dòng)靜態(tài)結(jié)構(gòu)庫(kù)中原子自發(fā)輻射的理論研究.pdf
- 光子晶體的表面自發(fā)輻射增強(qiáng)效應(yīng).pdf
- 自發(fā)輻射的相干控制.pdf
- 稀土離子摻雜的GdOBr發(fā)光粉末的光譜性質(zhì)研究及稀土離子的理論能級(jí)計(jì)算.pdf
- 基于稀土5d-4f寬帶發(fā)光的熒光應(yīng)力傳感技術(shù).pdf
- 基于稀土5d-4f寬帶發(fā)光的熒光溫度傳感技術(shù).pdf
- Ce3+和Eu2+離子摻雜晶體中4f-5d躍遷和電-聲子相互作用的理論研究.pdf
- F8BT-P3HT共混聚合物放大自發(fā)輻射與電致發(fā)光特性的研究.pdf
- 聚合物放大自發(fā)輻射現(xiàn)象的研究.pdf
- EDF自發(fā)輻射特性及980nm光開(kāi)關(guān)研究.pdf
- 楔形金屬腔內(nèi)原子的自發(fā)輻射.pdf
- 自發(fā)輻射和電離速率的量子相干控制.pdf
- 光子閉合軌道理論在介質(zhì)板體系中原子自發(fā)輻射和分子熒光壽命問(wèn)題上的應(yīng)用.pdf
- 相干介質(zhì)中自發(fā)輻射及光學(xué)雙穩(wěn)態(tài)的量子調(diào)控.pdf
- 聚合物光波導(dǎo)放大自發(fā)輻射特性的研究.pdf
- 以缺陷及稀土離子為發(fā)光中心的發(fā)光材料的制備及其性質(zhì)研究.pdf
評(píng)論
0/150
提交評(píng)論