Gd-,2-O-,3-摻雜CeO-,2-電解質(zhì)薄膜的生長(zhǎng)及電學(xué)性能.pdf_第1頁(yè)
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文檔簡(jiǎn)介

1、本文對(duì)Gd<,2>O<,3>摻雜CeO<,2>電解質(zhì)薄膜的生長(zhǎng)及電學(xué)性能進(jìn)行了研究。文章采用反應(yīng)磁控濺射方法，在(0001)藍(lán)寶石單晶襯底上，制備了納米多晶Gd<,2>O<,3>摻雜CeO<,2>(簡(jiǎn)稱GDC)氧離子導(dǎo)體電解質(zhì)薄膜，采用XRD、AFM對(duì)薄膜物相、結(jié)構(gòu)、粗糙度、表面形貌等生長(zhǎng)特性進(jìn)行了表征，利用交流阻抗譜儀測(cè)試了GDC薄膜不同溫度下的電學(xué)性能。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，GDC薄膜為面心立方結(jié)構(gòu)，在所研究的襯底溫度范圍內(nèi)，均呈強(qiáng)(111

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