復(fù)雜原子的光電離過程及其內(nèi)殼層洞態(tài)的衰變過程的理論研究.pdf

1、光電離是原子與分子物理中一種最基本的原子過程。在等離子體不透明度的研究和等離子體診斷中，中性原子和離子的絕對光電離截面的數(shù)據(jù)是必不可少的。同時，光電離的相關(guān)研究在天體物理及理解電子關(guān)聯(lián)效應(yīng)等方面有突出的貢獻。另外，光電離過程往往伴隨著內(nèi)殼層洞態(tài)的產(chǎn)生，對內(nèi)殼層洞態(tài)的退激發(fā)過程及其末電離態(tài)分布的研究，不僅能獲得相關(guān)原子(或離子)的內(nèi)殼層電子的結(jié)構(gòu)信息及退激發(fā)過程的動力學(xué)規(guī)律，而且能很好地解釋相關(guān)實驗結(jié)果和各種等離子體過程中的離子態(tài)布居。本

2、研究分為六個部分：
　　 第一章主要介紹了原子物理學(xué)與量子力學(xué)的發(fā)展、光電離過程的研究進展、洞原子(或離子)概述及本文的研究內(nèi)容及基本框架；
　　 第二章主要介紹了本文用到的多組態(tài)Dirac-Fock（MCDF）方法和計算光電離截面、Auger 躍遷幾率等的公式；
　　 第三章主要利用最新發(fā)展的RERR06 程序模擬了Ne 原子的1s 光電子譜，用XAUGER 程序研究了Ne 原子的1s 光電離末離、伴隨態(tài)及Ne

3、原子1s-1 3p 激發(fā)態(tài)的Auger 衰變特性。我們發(fā)現(xiàn)，當初洞態(tài)存在旁觀電子時，旁觀Auger 躍遷是主要的衰變機制；
　　 第四章利用輻射-單俄歇級聯(lián)退激發(fā)模型研究了L 殼層雙洞態(tài)氬離子的退激發(fā)過程及其末電離態(tài)分布，我們得到了初洞態(tài)越深，退激發(fā)過程越復(fù)雜，高離化態(tài)離子分布越高，低離化態(tài)離子分布越低的結(jié)論。同時，結(jié)合在蘭州近代物理研究所的反沖離子動量譜儀上測得的30 keV的He 2+與Ar 碰撞過程中反沖離子的縱向動量，研

4、究了低能He 2+與Ar 碰撞過程中產(chǎn)生的各種激發(fā)態(tài)Ar 離子的Auger 衰變特性及其末電離態(tài)分布；
　　 第五章通過系統(tǒng)考慮量子電動力學(xué)(QED)效應(yīng)、Breit 相互作用和弛豫效應(yīng)，詳細研究了類鈧金離子和類錳金離子的3d 電子激發(fā)到n=4,5 各子殼層所形成的激發(fā)態(tài)的能級結(jié)構(gòu)、共振激發(fā)能及這些激發(fā)態(tài)之間能夠發(fā)生的所有躍遷的振子強度。研究發(fā)現(xiàn)，隨著nl的增大，能級間距越來越小，能級間的簡并越來越強，并且長度和速度規(guī)范下的振子