DBD等離子體流動(dòng)控制技術(shù)研究.pdf_第1頁(yè)
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1、本文對(duì)DBD等離子體流動(dòng)控制技術(shù)進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)和數(shù)值模擬研究。通過(guò)介質(zhì)阻擋放電產(chǎn)生等離子體,在電場(chǎng)中獲得動(dòng)量和能量,來(lái)改變邊界層的流動(dòng)特性,實(shí)現(xiàn)對(duì)流動(dòng)分離的控制,從而達(dá)到增升減阻的目的。
  在大氣環(huán)境中利用NACA0015翼型進(jìn)行等離子體控制流動(dòng)分離煙線顯示和測(cè)壓實(shí)驗(yàn),研究了雷諾數(shù)大小、激勵(lì)電壓、電極接線方法和電極布置方式對(duì)等離子體流動(dòng)控制效果的影響。并利用FLUENT軟件中的UDF編程,添加能量源項(xiàng)和動(dòng)量源項(xiàng),對(duì)等離子體控制流動(dòng)分

2、離進(jìn)行數(shù)值模擬。
  研究結(jié)果表明:等離子體在一定的攻角域內(nèi)能有效抑制流動(dòng)分離,實(shí)現(xiàn)增升減阻,且隨著雷諾數(shù)的增加,有效控制的起始攻角和終止攻角均變大,但攻角區(qū)域逐漸變??;在分離點(diǎn)附近,流動(dòng)對(duì)能量非常敏感,只需少許能量輸入就能使分離點(diǎn)后移或使氣流重新附著,延緩或抑制分離的發(fā)生,因此可以通過(guò)在分離點(diǎn)附近布置等離子體激勵(lì)器來(lái)實(shí)現(xiàn)和優(yōu)化流動(dòng)控制:當(dāng)激勵(lì)電壓等于或大于某個(gè)值時(shí),流動(dòng)分離可以完全被抑制,并且一旦激勵(lì)電壓大于此值,再增大電壓對(duì)流

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