電子輻照直拉硅中氧相關(guān)缺陷的研究.pdf_第1頁
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1、河北工業(yè)大學(xué)碩士學(xué)位論文電子輻照直拉硅中氧相關(guān)缺陷的研究姓名：崔會英申請學(xué)位級別：碩士專業(yè)：材料物理與化學(xué)指導(dǎo)教師：李養(yǎng)賢20080301電子輻照直拉硅中氧相關(guān)缺陷的研究iiINVESTIGATIONOFTHEOXYGENRELATIVEDEFECTSINELECTRONIRRADIATEDCZOCHRALSKISILICONABSTRACTTheinterstitial(I)vacancy(V)weregeneratedinelect

2、ronirradiationsiliconviacollidebetweenelectronsiliconatomsinteractofbasicdefectssiliconatomscanproducesubdefects.Thesedefectswereunstabledisappearedcompletelyafter200℃to500℃.Thedefectswereeffectivenucleuscentreofoxygenco

3、ncentrationcouldaccelerateoxygenprecipitationthroughannealedathightemperature.InthispapertheinfluencesofelectronirradiationontheirradiationdefectsinCZSiwereinvestigatedwithFourierTransfmInfraredAbsptionSpectrometer(FTIR)

4、OpticalMicroscope.Twoinfraredabsptionbsat830cm1889cm1wereobservedinthesiliconcrystalbyelectronirradiation.It’sconsistentthatmultipleoxygendefectscompoundcenterevolvedbyVOmodelofoxygendefectscompoundputfwardbyStein.Thethe

5、rmalbehaviofsampleswasdifferentduetointerstitialoxygencontention.ThestabilityoftheVO2wasinvestigatedastheVO2appearedafterelectronirradiation.ThestabilityoftheVO2werewellannealedat450℃whilethecovalentbondinVO2wereactiveat

6、500℃consequentlyfmedVO3viaseizeinterstitialoxygenatoms.OxygenprecipitationinelectronirradiationCzochralskisiliconwereacceleratedwhenannealedat1100℃withRTPinnitrogenambient.Itisdifferentthatdefectsincleavageplaneofthesamp

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