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1、河北工業(yè)大學(xué)碩士學(xué)位論文電子輻照直拉硅單晶中空位相關(guān)缺陷的紅外吸收光譜研究姓名:薛晶晶申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別:碩士專業(yè):材料物理與化學(xué)指導(dǎo)教師:李養(yǎng)賢;劉彩池;陳貴鋒201103電子輻照直拉硅中空位相關(guān)缺陷的紅外光譜分析iiIRIRIRIRABSPTIONABSPTIONABSPTIONABSPTIONSPECTRUMSPECTRUMSPECTRUMSPECTRUMSTUDIESSTUDIESSTUDIESSTUDIESOFOFOFOFVnOmV
2、nOmVnOmVnOmININININELECTRONIRRADIATEDELECTRONIRRADIATEDELECTRONIRRADIATEDELECTRONIRRADIATEDCZSiCZSiCZSiCZSiABSTRACTABSTRACTABSTRACTABSTRACTTheinterstitial(I)vacancy(V)weregeneratedinelectronirradiationsilicon.Theyinterac
3、tofotherdefectssiliconatomscanproduceVOVO2othervacancyoxygendefects.Itisthemostimptantissueftheeffectofelectronirradiationthecontrolofdefectsinsilicon.InthispapertheconversionoftheVnOminsiliconthepositionoftheIRpeakinlow
4、ermeasurementtemperaturewereinvestigatedwithFourierTransfmInfraredAbsptionSpectrometer(FTIR).IRacteristicsofirradiationdefectstheinteractionwithoxygeninsiliconwerediscussedtheconcentrationofVOcompleteswascalculated.Exper
5、imentalresultsshowedthattheintensityofVOisrelatedtotheannealingtemperature.TheintensityofVOatthemaximumwhentheannealingat300℃disappearedatabout450℃.Uponannealing300℃VOdefectsbecomemobileleadingtothedecayof830cm1theparall
6、elgrowthof889cm1(VO2).ButthediffusioncoefficientofVOismuchhigherthanthatofOialsothatthecaptureradiusfthereactionbetweenVOsisexpectedtobelargerthanthatbetweenVOOi.ThusthereactionVVOOVVOVO→→222isexpectedtobepreferabletothe
7、reaction2VOOVOi→.TheconcentrationofVOwasproptionalto()mdosenotrelatedtotheconcentrationofinitialoxygeninthiscase.TheconcentrationofvacancythatinducedbyirradiationisaconstantleadingtotheconcentrationofVOisaconstantatthesa
8、meradiationdose.VOVO2absptionpeakshiftedtohigherfrequencyinlowermeasurementtemperaturetheintensityincreasewiththedecreasesofmeasurementtemperature.KEYKEYKEYKEYWDSWDSWDSWDS:CZsiliconelectronirradiationvacancyrelativedefec
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