d-核反應模型理論及核數(shù)據(jù)計算.pdf

1、隨著核科學的深入發(fā)展，核技術應用對帶電粒子在中高能區(qū)的核反應數(shù)據(jù)的需求日益增加，從而在客觀上促進了中高能帶電粒子誘發(fā)的核反應理論及實驗研究的發(fā)展。目前，國際上已建立了部分帶電粒子的中高能實驗數(shù)據(jù)庫和評價數(shù)據(jù)庫，但都還處于起步階段。由于弱束縛粒子氘核的破裂效應在核反應及核結構研究中具有極其重要的作用，因而針對氘核的破裂效應的核反應模型理論研究、程序開發(fā)及數(shù)據(jù)庫建設則顯得尤為重要。
　　 本文基于現(xiàn)有的氘核誘發(fā)的核反應實驗數(shù)據(jù)，通過

2、對已有氘核光學勢的勢井深度、幾何參數(shù)的改進，得到一套適用于200MeV以下靶核滿足12≤A≤238的最佳氘核普適光學勢參數(shù)；該套光參可作為研究氘核誘發(fā)的核反應的基礎和出發(fā)點。為系統(tǒng)研究氘核破裂效應的貢獻，基于連續(xù)離散化耦合道理論編制了連續(xù)離散化耦合道光學模型程序CDCCOM，并驗證了該程序的收斂性和可重復性。以實驗數(shù)據(jù)和由氘核普適光學勢參數(shù)得到的理論計算值為參考，利用CDCCOM程序系統(tǒng)地研究了氘核的破裂效應對其誘發(fā)的核反應的影響；結果

3、表明靶核越輕入射能量越低，破裂效應對彈性散射角分布的影響越明顯，破裂效應對反應截面的貢獻因靶核而異；通過假設組成剩余核的中子與靶核不僅可構成束縛態(tài)而且可構成具有連續(xù)正能量的激發(fā)態(tài)，闡述了破裂效應對（d，xp）反應的影響，進而從微觀角度證實了出射質子能譜的特殊性，并據(jù)此修正了Kalbach的氘核破裂效應經驗公式。利用CDCCOM程序，分別從靶核和能量兩個方面系統(tǒng)研究了閉道對反應截面、破裂截面和彈性散射角分布的影響；結果表明入射能量約大于1

4、2MeV時閉道的影響可忽略不計，12MeV以下閉道會引起反應截面的下降，閉道對破裂截面影響因靶核而異，而且包含閉道耦合的彈性散射角分布理論值更合理；對氘核破裂效應及閉道影響的系統(tǒng)研究將為氘核誘發(fā)的核反應模型理論研究及實驗設計提供理論支持。為更好地模擬實際核反應機制，將氘核破裂機制及唯象直接反應理論引入MEND程序，對200 MeV以下d+58Ni核反應進行了計算；結果表明出射粒子能譜、彈散射角分布、單舉截面及剩余核截面等理論值均可以較好