聚苯胺復合膜修飾神經(jīng)電極的制備及基底粗糙度對修飾電極界面性能的影響.pdf

1、為了提高神經(jīng)電極的電化學性能和穩(wěn)定性，本論文采用共聚法在溶液中制備了改進的摻雜有機酸和多壁碳納米管的聚苯胺復合膜修飾神經(jīng)，復合膜修飾電極的電化學性能和穩(wěn)定性均得到了提高；通過電化學粗糙化方法對鉑電極表面形貌進行了可控處理，隨后將聚苯胺涂層沉積在粗糙化鉑基底表面，驗證了增加鉑基底粗糙度對電極表面聚苯胺涂層的電學性能和穩(wěn)定性也具有積極的影響。
　　結(jié)果表明：相比傳統(tǒng)聚苯胺修飾電極，有機酸和多壁碳納米管摻雜的聚苯胺復合膜修飾電極表面形態(tài)

2、更為均勻致密，導電性能顯著提升，表面電荷密度提高12.1倍，電極穩(wěn)定性相對提高；電化學粗糙法能夠顯著增加鉑電極基底的表面粗糙度，控制實驗參數(shù)能夠得到特定粗糙系數(shù)的鉑基底；隨著粗糙系數(shù)(fR)的增加，粗糙化鉑基底的電荷存儲量近乎線性增長，粗糙化鉑基底(fR=424)的雙層電容是光滑鉑基底的77倍；粗糙化鉑基底表面的聚苯胺涂層表面形態(tài)更為均勻、致密；提高基底粗糙度，聚苯胺修飾電極的導電性能顯著提升、界面阻抗降低，同時電極穩(wěn)定性得到改善，粗糙