聚苯胺復(fù)合膜修飾神經(jīng)電極的制備及基底粗糙度對(duì)修飾電極界面性能的影響.pdf

1、為了提高神經(jīng)電極的電化學(xué)性能和穩(wěn)定性，本論文采用共聚法在溶液中制備了改進(jìn)的摻雜有機(jī)酸和多壁碳納米管的聚苯胺復(fù)合膜修飾神經(jīng)，復(fù)合膜修飾電極的電化學(xué)性能和穩(wěn)定性均得到了提高；通過(guò)電化學(xué)粗糙化方法對(duì)鉑電極表面形貌進(jìn)行了可控處理，隨后將聚苯胺涂層沉積在粗糙化鉑基底表面，驗(yàn)證了增加鉑基底粗糙度對(duì)電極表面聚苯胺涂層的電學(xué)性能和穩(wěn)定性也具有積極的影響。
　　結(jié)果表明：相比傳統(tǒng)聚苯胺修飾電極，有機(jī)酸和多壁碳納米管摻雜的聚苯胺復(fù)合膜修飾電極表面形態(tài)

2、更為均勻致密，導(dǎo)電性能顯著提升，表面電荷密度提高12.1倍，電極穩(wěn)定性相對(duì)提高；電化學(xué)粗糙法能夠顯著增加鉑電極基底的表面粗糙度，控制實(shí)驗(yàn)參數(shù)能夠得到特定粗糙系數(shù)的鉑基底；隨著粗糙系數(shù)(fR)的增加，粗糙化鉑基底的電荷存儲(chǔ)量近乎線性增長(zhǎng)，粗糙化鉑基底(fR=424)的雙層電容是光滑鉑基底的77倍；粗糙化鉑基底表面的聚苯胺涂層表面形態(tài)更為均勻、致密；提高基底粗糙度，聚苯胺修飾電極的導(dǎo)電性能顯著提升、界面阻抗降低，同時(shí)電極穩(wěn)定性得到改善，粗糙