低電導率KTP晶體生長及其性能研究.pdf

1、該文首先闡述了導致高溫溶液法生長的KTP晶體c向電導率較高的形成機理,提出采用摻入特定元素的離子來降低KTP晶體c向電導率的方案.研究了生長高光學質量、低電導率KTP晶體的工藝過程,指出晶體生長爐溫度場的均勻性、控溫精度、籽晶的質量和定向以及降溫速度的快慢對晶體的光學質量有著重要的影響.在晶體生長爐溫場均勻性高于2.5℃、控溫精度高于0.2℃、降溫速度為0.2℃~2℃的條件下,采用浸沒籽晶緩慢降溫法生長出宏觀無明顯缺陷的摻質KTP晶體.

2、該文討論了KTP晶體生長的驅動力和生長機制,研究了摻質對KTP晶體生長習性的影響,并對其形貌進行了描述和理論上的解釋.發(fā)現(xiàn)分別摻Rb<'+>、Cs<'+>離子的KTP晶體生長習性發(fā)生很大改變,晶體a向生長速度極其緩慢,a向尺寸增加不大,晶體外形成片狀,而摻Ga<'3+>離子的KTP晶體a向生長速度增大,a向尺寸變厚.同時也分析了KTP晶體生長過程中容易出現(xiàn)的缺陷—包裹體產生的原因,指出晶體表面過飽和度分布不均勻是出現(xiàn)包裹體的根本原因,并