CVD石墨烯的生長(zhǎng)及拉曼光譜研究.pdf

1、化學(xué)氣相沉積法(Chemical Vapor Deposition，CVD)制備的石墨烯具有質(zhì)量高、尺寸大、層數(shù)可控等優(yōu)點(diǎn)，已成為石墨烯薄膜大規(guī)模生長(zhǎng)的主要方法。石墨烯優(yōu)異的電學(xué)性能、光學(xué)性能也使得其在光電領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景。優(yōu)化石墨烯的生長(zhǎng)條件，降低銅箔表面石墨烯的形核密度是提高石墨烯質(zhì)量的有效途徑。在生長(zhǎng)石墨烯的過(guò)程中，樣品經(jīng)常會(huì)出現(xiàn)雙層或多層區(qū)域，而這些多層區(qū)域中石墨烯的層間堆垛方式，也就是層間扭轉(zhuǎn)角度不盡相同。扭轉(zhuǎn)角度的差異

2、則會(huì)對(duì)石墨烯的電學(xué)、光學(xué)性質(zhì)造成重要的影響。本論文首先探究了雙氧水處理（包括溶液濃度及處理時(shí)間）對(duì)銅箔表面石墨烯形核密度的影響，并從銅箔表面含氧量和粗糙度這兩個(gè)角度分析其影響機(jī)制。實(shí)驗(yàn)中發(fā)現(xiàn)雙氧水溶液處理銅箔可以有效降低石墨烯的形核密度。另外，我們研究了雙層石墨烯的層間扭轉(zhuǎn)角度對(duì)其拉曼信號(hào)的影響，實(shí)現(xiàn)了雙層石墨烯層間扭轉(zhuǎn)角度及其分布的快速識(shí)別。通過(guò)理論計(jì)算，我們還證明了雙層大角度石墨烯拉曼光譜中的D-like峰并不是由石墨烯中缺陷所導(dǎo)致