化學浴沉積法制備ZnO薄膜的擇優(yōu)生長取向及機制的研究.pdf

1、氧化鋅(ZnO)作為一種新型的直接寬禁帶氧化物半導體材料，一直受到廣泛關注。ZnO具有室溫下3.37eV的禁帶寬度，60meV的激子束縛能，優(yōu)良的壓電、氣敏、壓敏等特性，而且原材料廉價豐富、無毒、化學穩(wěn)定性及熱穩(wěn)定性好、抗輻射性強。因此，ZnO的諸多方面成為了研究的熱點。其中，薄膜作為ZnO的主要形態(tài)結構，具有重要的研究意義和應用價值。
　　近幾年，隨著ZnO薄膜材料的制備技術，生長機制等的研究的越來越成熟，很多研究工作開始將Zn

2、O薄膜應用到工業(yè)生產(chǎn)中。比較看好的領域有光電領域的太陽能電池用來代替多晶硅，發(fā)光二級管代替GaN薄膜，透明導電玻璃代替ITO，表面聲波，紫外激光器，以及一些特殊的極性轉(zhuǎn)換開光等領域。而在應用中發(fā)現(xiàn)ZnO薄膜的光電各向異性對器件的性能影響非常大。所以今年來，越來越多的研究工作開始針對控制ZnO薄膜的生長取向以到達到其光電性能的優(yōu)化。
　　目前，隨著薄膜制備技術的發(fā)展和完善，幾乎所有制備方法都可以用于ZnO薄膜的制備。而由于纖鋅礦結構

3、ZnO的本征偶極矩和自發(fā)極性，使得幾乎所有的方法都很容易制備出c軸取向擇優(yōu)生長的ZnO薄膜，而非極性取向擇優(yōu)生長的薄膜的制備則要困難得多。目前能夠成熟地制備非極性取向生長ZnO薄膜的方法主要有磁控濺射法、分子束外延法、化學氣相沉積、原子層沉積等這些非平衡態(tài)的制備方法。這些方法都是利用了與ZnO非極性面有一定錯配度的特殊襯底，比如m-或者r-面藍寶石，γ-LiAlO2，Si和MgO(100)等。利用這些非平衡態(tài)的方法制備出來的ZnO薄膜都

4、會因為襯底與薄膜之間的錯配而產(chǎn)生殘余應力，這大大限制了薄膜在工業(yè)領域的應用。所以，如何控制好薄膜的擇優(yōu)生長取向?qū)⒎菢O性薄膜應用到光電領域成為ZnO薄膜研究領域的一個瓶頸。
　　為了避免這種殘余應力的產(chǎn)生，本文從平衡態(tài)的化學方法中尋找出路。在經(jīng)過了溶膠-凝膠法、反膠束微乳液法等化學法的嘗試之后，最后找到了一個能夠控制薄膜擇優(yōu)生長取向的化學浴沉積法。本文就是通過調(diào)整實驗以及工藝參數(shù)來達到利用化學浴沉積法控制薄膜的擇優(yōu)生長取向。

5、　　實驗結果表明，當選用非常薄的顆粒ZnO膜的SG-ZnO薄膜作為襯底，化學浴時間為4小時，化學浴溫度為80℃時，以90％的異丙醇和10％的去離子水作為溶劑的時候，可以制備出質(zhì)量很好的非極性(110)取向擇優(yōu)生長的ZnO薄膜。當其它條件不變，可以通過改變化學浴的溶劑來控制薄膜的擇優(yōu)生長取向。利用此技巧，本文成功制備出了(002)、(101)、(112)、(110)、(100)取向擇優(yōu)生長的ZnO薄膜。
　　本文還通過對ZnO薄膜的