ZnO薄膜生長(zhǎng)取向及紫外發(fā)光的研究.pdf_第1頁(yè)
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1、ZnO是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，在紫外光電器件應(yīng)用領(lǐng)域有很大潛力。我們利用具有特定溫度梯度的CVD設(shè)備，以鋅粉和氧氣為原料，在Si(100)襯底上制備了ZnO薄膜。鋅粉中加入某些添加劑后可以改變ZnO薄膜的生長(zhǎng)取向，采用的添加劑分別為不同比例的NaCl和LiCl。結(jié)果表明氯化物添加劑的濃度不同ZnO薄膜的生長(zhǎng)取向也不同。用FESEM觀察了ZnO薄膜的表面形貌，發(fā)現(xiàn)Zn和氯化物摩爾比為1：1時(shí)，生長(zhǎng)的ZnO薄膜表面晶粒呈菱形或三角形，當(dāng)兩者

2、的摩爾比為10：1時(shí)薄膜表面晶粒呈六角臺(tái)形。在纖鋅礦ZnO薄膜中菱形和三角形對(duì)應(yīng){101}晶面，而六邊形對(duì)應(yīng){001}晶面。XRD分析結(jié)果證實(shí)，前者只觀察到(101)和(202)衍射峰，而后者出現(xiàn)(002)衍射峰且其強(qiáng)度大于(101)衍射峰。這種現(xiàn)象和襯底無(wú)關(guān)，添加的氯化物起到降低ZnO{101}面表面能的作用，隨著氯化物濃度的增加，薄膜從沿[002]方向生長(zhǎng)逐漸轉(zhuǎn)向沿[101]方向生長(zhǎng)。 在本工作中，利用光致發(fā)光來(lái)研究未處理、

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