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文檔簡介
1、隨著納米材料在半導(dǎo)體中的廣泛應(yīng)用以及力電光信號介觀轉(zhuǎn)換機(jī)理的發(fā)展，各種新型的超晶格量子阱器件被設(shè)計加工出來。這些納機(jī)電器件在先進(jìn)技術(shù)的支持下會體現(xiàn)出新的特征和性能。本論文以介觀壓阻效應(yīng)的基本理論思想為基礎(chǔ)，結(jié)合溫度變化對超晶格材料的影響，研究了不同溫度作用下GaAs/AlxGa1-xAs量子阱紅外探測器（QWIP）的吸收波長以及光電流峰位所發(fā)生的變化。
本文詳細(xì)介紹了超晶格的結(jié)構(gòu)特征以及不同溫度對它的影響，并以此為基礎(chǔ)闡述了量
2、子阱紅外探測器的理論基礎(chǔ)和工作原理，分析了器件的光電特性。論文主要從溫度與勢阱、勢壘寬度和材料帶隙這兩個方面的關(guān)系分析了對器件性能的影響。
主要研究內(nèi)容如下：
（1）對半導(dǎo)體材料應(yīng)變與溫度的關(guān)系進(jìn)行了推導(dǎo)，并利用GaAs、Al0.3Ga0.7As的參數(shù)計算了沿超晶格生長方向隨溫度變化的關(guān)系式。
（2）利用GaAs和AlxGa1-xAs材料帶隙與溫度的關(guān)系式，推得勢壘高度隨溫度的變化關(guān)系式，進(jìn)而計算了三種躍遷
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