新型GaAs-AlGaAs量子阱紅外探測(cè)器電子輸運(yùn)特性分析.pdf

1、GaAs/AlGaAs量子阱紅外探測(cè)器(QWIPs)是近二十年來(lái)迅速發(fā)展起來(lái)的一種新型紅外探測(cè)器,它利用GaAs和AlxGa1-xAs形成的勢(shì)阱的子帶間吸收機(jī)制,由于能帶結(jié)構(gòu)可精確設(shè)計(jì)從而能獲得指定的光譜響應(yīng),加之成熟的生長(zhǎng)工藝和器件工藝,使得GaAs/AlGaAs QWIPs尤其適合制作8-14um長(zhǎng)波范圍的大面陣探測(cè)器。
　　 針對(duì)常規(guī)GaAs/AlGaAs量子阱紅外探測(cè)器存在的光電流小、暗電流大、響應(yīng)速度低等問(wèn)題,我們提出

2、了新型光電流逐級(jí)增強(qiáng)GaAs/AlGaAs量子阱紅外探測(cè)機(jī)制。本文從理論上對(duì)新結(jié)構(gòu)進(jìn)行了仔細(xì)的分析,論文的主要內(nèi)容概況如下:
　　 1.介紹了紅外探測(cè)器的發(fā)展歷程和GaAs/AlGaAs量子阱紅外探測(cè)器的國(guó)內(nèi)外發(fā)展現(xiàn)狀,簡(jiǎn)單陳述了紅外探測(cè)器的應(yīng)用和常規(guī)GaAs/AlGaAs量子阱紅外探測(cè)器存在的不足之處。
　　 2.利用MBE外延生長(zhǎng)樣品,利用PL譜測(cè)量得出結(jié)果來(lái)反映外延生長(zhǎng)的質(zhì)量,經(jīng)過(guò)一系列的工藝加工成器件,通過(guò)測(cè)試系

3、統(tǒng)測(cè)量出樣品的噪聲電壓、信號(hào)電壓、探測(cè)率、光響應(yīng)譜。
　　 3.對(duì)新型GaAs/AlGaAs量子阱紅外探測(cè)器的工作機(jī)制及其優(yōu)越性進(jìn)行了仔細(xì)的分析,計(jì)算和模擬出器件的最佳外加偏置周期電壓和量子阱中的能級(jí)隨器件結(jié)構(gòu)參數(shù)的變化。
　　 4.對(duì)常規(guī)GaAs/AlGaAs量子阱紅外探測(cè)器的暗電流產(chǎn)生機(jī)理進(jìn)行了分析,介紹了計(jì)算暗電流的模型,同時(shí)對(duì)新型結(jié)構(gòu)GaAs/AlGaAs量子阱紅外探測(cè)器的暗電流進(jìn)行了分析計(jì)算,指出器件結(jié)構(gòu)參數(shù)對(duì)