(CuInSe2)x(ZnSe)1-x和(Cu2SnSe3)x(ZnSe)1-x多組分半導體納米晶的制備與表征.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、半導體納米晶在不斷發(fā)展和完善的功能化納米材料與器件中扮演著極為重要的角色，而納米材料的合成更是納米材料領域的重要課題之一。半導體納米晶顯示出了不同于本體材料的量子尺寸效應，已經被廣泛地應用于太陽能電池、場效應晶體管、發(fā)光二極管、生物標記等領域。在這些半導體材料中，CuInSe2、Cu2SnSe3等Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ、Ⅰ-Ⅳ-Ⅵ族半導體材料，具有禁帶寬度與太陽光譜相匹配，高理論轉換效率、高光吸收系數、直接禁帶、穩(wěn)定性好等優(yōu)點，因此成為了很有發(fā)展前

2、景的下一代太陽電池；ZnSe是一種Ⅱ-Ⅵ族化合物直接帶隙半導體材料，禁帶寬度為2.7ev，對于可見光波段的吸收較小，生長過程中需要的溫度比較低，是一種很好的替代毒性CdS作為太陽能電池緩沖層的材料。
　　本論文采用了熱注射法制備了(CuInSe2)x(ZnSe)1-x、(Cu2SnSe3)x(ZnSe)1-x多組分半導體合金納米晶，通過XRD、EDS、UV-via、XPS、TEM等表征手段對樣品的結構，元素組成，微觀結構以及光學性

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