ZnSe半導(dǎo)體納米材料的液相合成與表征.pdf

1、ZnSe是一種非常重要的寬禁帶(2.68eV)Ⅱ-Ⅵ族性能優(yōu)良的半導(dǎo)體材料，在光電子器件如藍(lán)色發(fā)光二極管以及ZnSe藍(lán)綠色激光器等方面都得到廣泛的應(yīng)用。因此研究制各ZnSe材料的方法具有非常重要的意義。
　　 目前，科學(xué)家們已經(jīng)研究出多種制備ZnSe材料的方法，例如熱注射法、反向膠束法等。然而這些制備技術(shù)往往都存在著設(shè)備投入昂貴、工藝復(fù)雜、難于實(shí)現(xiàn)工業(yè)化等問題。因此，尋求合理的合成方法實(shí)現(xiàn)對ZnSe半導(dǎo)體納米顆粒形貌的有效控制已

2、成為ZnSe納米材料的研究和開發(fā)的關(guān)鍵技術(shù)之一。其中，水熱/溶劑熱法因其制備工藝簡單、投資少、污染小等優(yōu)點(diǎn)而成為一種常用制備ZnSe納米材料的方法。論文中采用水熱/溶劑熱法成功合成了納米結(jié)構(gòu)球形硒化鋅，主要內(nèi)容包括：
　　 1.單分散納米結(jié)構(gòu)球形ZnSe的低溫水熱合成。
　　 用Na2SeSO3和ZnSO4·7H2O作為源物質(zhì)，以NaOH水溶液作為反應(yīng)介質(zhì)，以PEG2000作為表面活性劑，采用水熱法于較溫和條件下合成了Z

3、nSe亞微米球。采用X射線衍射儀(XRD)、透射電子顯微鏡(TEM)、X射線光電子能譜(XPS)、光致發(fā)光光譜(PL)等檢測手段對所合成樣品進(jìn)行結(jié)構(gòu)和性質(zhì)表征。結(jié)果表明，所制得的單分散亞微米球的平均直徑約為210nm，由粒徑尺寸在～3nm納米晶聚集而成的。與常規(guī)ZnSe體材料相比，其光學(xué)性質(zhì)發(fā)生明顯的藍(lán)移現(xiàn)象。并研究了表面活性劑對所制備的ZnSe亞微米球的形貌以及晶粒尺寸的影響，并對單分散亞微米球的形成機(jī)理進(jìn)行分析。
　　 2.

4、ZnSe空心微米球的醇熱還原路線合成與表征。
　　 以Zn(CH3COO)2·2H2O和Na2SeO3為源物質(zhì)，乙二醇(EG)為還原劑，NaOH水溶液為反應(yīng)介質(zhì)，采用醇熱還原法在140～200℃條件下反應(yīng)6h～18h制備了ZnSe空心微米球。并且研究了H2O與EG的體積比、Zn(CH3COO)2·2H2O與Na2SeO3的摩爾比，NaOH的濃度、醇熱反應(yīng)溫度及反應(yīng)時(shí)間等工藝因素對所制備的ZnSe空心微米球的晶粒尺寸、形貌及光學(xué)性