中溫回復(fù)下疲勞銅單晶體駐留滑移帶的演變.pdf

1、該文研究采用的銅單晶體取向為[5 48],為單滑移取向.經(jīng)恒塑性應(yīng)變幅控制的對稱拉—壓疲勞實驗后,試樣內(nèi)部形成PSB梯狀結(jié)構(gòu).隨之,對疲勞試樣進行不同溫度,時間中溫回復(fù)處理,發(fā)現(xiàn)PSBs平均寬度減小,并在一定溫度和時間條件下,PSB和脈絡(luò)結(jié)構(gòu)可完全消失.討論了熱處理過程中由于空位濃度差異所引起的滲透力促使位錯運動;同時也討論了林位錯等阻礙力對位錯運動的影響.分析表明:熱激活下,位錯運動通過空位放出和湮滅而實現(xiàn)的,從而使位錯密度不斷降低并

2、使PSB細化以至消失.利用掃描電子顯微鏡(SEM)電子通道襯度(ECC)技術(shù)觀察疲勞過程中駐留滑移帶結(jié)構(gòu)的形成和發(fā)展.對[123]取向的銅單晶體的研究表明:銅單晶體在疲勞過程中首先出現(xiàn)基體位錯墻,然后形成駐留滑移線(PSL)結(jié)構(gòu),經(jīng)過不長的循環(huán)周次,PSB萌芽沿著PSL形成一個中間長,兩頭短的橢圓梯狀位錯墻結(jié)構(gòu).隨著循環(huán)周次的增加,PSB萌芽沿著PSL向兩頭長大,最后形成完整的梯狀PSB結(jié)構(gòu).在中溫回復(fù)過程中,完整的PSB梯狀結(jié)構(gòu)出現(xiàn)彎