單晶銅的Bauschinger效應研究.pdf

1、單晶銅由于具有優(yōu)異的塑性變形能力和良好的信號傳輸能力，在電子、通信、網絡、音頻、視頻設備等領域中具有廣闊的應用前景。在實際應用時單晶銅難免要進行多次塑性變形，可能會導致Bauschinger效應產生，對其后續(xù)工藝及其性能產生影響。目前學術界對于單晶銅中出現(xiàn)的Bauschinger效應及其產生機制還沒有形成統(tǒng)一的觀點，該效應對單晶銅的影響也未進行有效的研究。所以，研究單晶銅的Bauschinger效應既有理論學術意義，也有工程實用價值。

2、 本文采用先壓縮、卸載之后拉伸的方式對單晶銅的Bauschinger效應進行了研究，討論預先應變量的大小對該效應的影響，并利用多晶銅進行對比。文中采用XRD、SEM和TEM等多種方法研究了微觀組織結構對單晶銅Bauschinger效應的影響，揭示了單晶銅中Bauschinger效應的產生機制。 研究結果表明：不論是單晶銅還是多晶銅，在正反向加載時均會出現(xiàn)Bauschinger效應，與多晶銅相比，單晶銅的Bauschinge

3、r效應較??；Bauschinger效應大小與預應變量的大小有關，隨著預應變量的增大，單晶銅的Bauschinger效應先增大后減小，在預應變量為0．156%左右出現(xiàn)極大值；預先加載可在單晶銅中形成平行排列的位錯排，隨著應變量增加，位錯間距變小，彎曲程度加大，直至形成位錯網絡。不同的位錯組態(tài)會影響單晶銅反向加載時形成的位錯胞尺寸，預應變量越小，反向加載后所形成的位錯胞尺寸越大，反之，位錯胞的尺寸越小。單晶銅中的位錯胞是按照這樣的順序形成：