應(yīng)變Si-應(yīng)變SiGe空穴遷移率研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、Si基應(yīng)變材料(應(yīng)變Si、應(yīng)變SiGe)能提高載流子遷移率，已經(jīng)成為高速/高性能半導(dǎo)體器件和集成電路的研究重點，本文主要研究應(yīng)變Si/應(yīng)變SiGe材料空穴遷移率。
　　 首先，分析了應(yīng)變Si/應(yīng)變SiGe形成機理以及張應(yīng)變和壓應(yīng)變對弛豫Si能帶結(jié)構(gòu)的影響，研究了應(yīng)變Si/應(yīng)變SiGe空穴遷移率增強機理?；谛巫儎莸腒.P微擾理論，結(jié)合應(yīng)變Si/應(yīng)變SiGe材料的能帶結(jié)構(gòu)模型，得到了應(yīng)變Si/應(yīng)變SiGe材料(001)、(101)

2、、(111)晶面空穴態(tài)密度有效質(zhì)量及典型晶向的空穴電導(dǎo)有效質(zhì)量等研究空穴遷移率的主要物理參數(shù)。
　　 然后，從散射機制的量子力學(xué)基礎(chǔ)出發(fā)，建立了應(yīng)變Si/應(yīng)變SiGe價帶中存在的四種散射機制模型：電離雜質(zhì)散射、聲學(xué)聲子散射、非極性光學(xué)聲子散射以及應(yīng)變SiGe中才存在的合金散射模型。采用平均動量時間方法，分別得到應(yīng)變Si/應(yīng)變SiGe(001)、(101)、(111)晶面呈現(xiàn)異性的空穴總散射幾率。并最終研究得到呈現(xiàn)高度各向異性的空

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