SRAM靈敏放大器模塊的HSPICE仿真與設計改進.pdf

1、自本世紀50年代晶體管誕生以來,微電子技術發(fā)展異常迅速,目前已進入甚大規(guī)模集成電路和系統(tǒng)集成時代.微電子技術已經成為整個信息技術和產業(yè)的基礎,也是一個國家綜合國力的重要標志.在微電子大家族中,半導體存儲器是一類重要的微電子產品.在隨機存儲器中,除了動態(tài)存儲器(DRAM)外,靜態(tài)存儲器(SRAM)由于其自身的低功耗和高速的優(yōu)勢而成為半導體存儲器中不可或缺的重要產品.隨著工藝水平的不斷提高,器件特征尺寸不斷減小,SRAM在不斷增大容量的同時

2、其性能也在不斷改善.提高和改善靜態(tài)存儲器的性能依然是集成電路設計領域的重要課題.該論文從降低靜態(tài)存儲器功耗的角度出發(fā),重點研究了靜態(tài)存儲器的關鍵模塊——靈敏放大器的工作機理和結構,設計了一種改進型的鎖存型靈敏放大器,Hspice的仿真表明,該放大器的功耗大大低于傳統(tǒng)的靜態(tài)存儲器的靈敏放大器模塊的功耗.該論文共分為四章.第一章對半導體存儲器的分類及國內、外的發(fā)展狀況做一簡單概述.第二章介紹了電路仿真工具-Hspice,它是該論文所使用的主

3、要工具.第三章深入研究分析了靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)的結構和工作原理,它是完成該課題主要工作的基礎.第四章是論文的核心,重點研究了構成SRAM的重要模塊——靈敏放大器.首先詳細分析了三種SRAM靈敏放大器模塊:運放型、交叉耦合型,鎖存器型靈敏放大器的結構及工作原理,然后對其進行Hspice仿真,目的是比較它們性能的優(yōu)缺點.在此基礎上,針對SRAM對靈敏放大器的功耗和速度的要求,結合上述仿真結果,完成了一種改進型的靈敏放大器設計.對