手機(jī)用COF制造工藝關(guān)鍵技術(shù)研究.pdf

1、隨著電子、通訊產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展,液晶顯示器的需求與日劇增,大尺寸如液晶顯示器、液晶電視,中小尺寸如手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)等。這些產(chǎn)品都是以輕薄短小為發(fā)展趨勢(shì)的,這就要求必需有高密度,小體積,能彎曲安裝的新一代封裝技術(shù)來(lái)滿足以上需求。而COF(chiponflex)技術(shù)正是在這樣的背景下迅速發(fā)展壯大,成為L(zhǎng)CD、PDP(PlasmaDisplayPanel)等平板顯示器的驅(qū)動(dòng)IC的一種主要封裝形式,進(jìn)而成為這些顯示模組的重要組成部分。COF技術(shù)已經(jīng)

2、逐漸成為液晶顯示器的驅(qū)動(dòng)IC封裝的主流趨勢(shì),市場(chǎng)前景十分廣闊。目前COF生產(chǎn)技術(shù)多被國(guó)外壟斷,COF的主要生產(chǎn)商多為日本、韓國(guó)等公司。但就國(guó)內(nèi)而言,能生產(chǎn)COF的廠商幾乎沒(méi)有,COF行業(yè)還處于探索起步階段,很多問(wèn)題有待解決。本文主要對(duì)COF基板生產(chǎn)過(guò)程的關(guān)鍵技術(shù)做了大量的預(yù)研工作,并取得了以下成果:基材的尺寸穩(wěn)定性方面:通過(guò)測(cè)量孔徑和誤差之間的關(guān)系,找到引入誤差最小的孔,能更準(zhǔn)確的測(cè)量材料的脹縮率;真空層壓后測(cè)量基材的尺寸穩(wěn)定性,確定出

3、了三種符合COF技術(shù)要求的基材。光致抗蝕劑方面:通過(guò)對(duì)比干膜和濕膜的感光性能、分辨率、附著力、操作工藝等,發(fā)現(xiàn)干膜性能穩(wěn)定,30μm厚度的干膜其性能可以達(dá)到COF基板的要求;并對(duì)干膜的曝光參數(shù)進(jìn)行了優(yōu)化,使其更加適合于精細(xì)線路的制作。銅箔微蝕減薄方面:研究了H2SO4/H2O2和H2SO4/Na2S2O8微蝕液的蝕刻速率,確定了這兩種微蝕液的最佳配方和最佳工作溫度;通過(guò)實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn),當(dāng)銅箔減薄到5μm時(shí),微蝕液的蝕刻不均勻性超過(guò)了精細(xì)線路對(duì)

4、于不均勻性在10％以內(nèi)的要求,并且伴隨著無(wú)法避免的針孔問(wèn)題,因此不建議使用,而應(yīng)該改用質(zhì)量可靠的超薄銅箔商品減成法制作精細(xì)線路方面:研究了銅箔厚度、曝光能量、蝕刻線速度對(duì)于精細(xì)線路質(zhì)量的影響,特別是蝕刻時(shí)間對(duì)側(cè)蝕的影響,確定了8μm銅箔、250mJ曝光能量、6級(jí)曝光級(jí)數(shù)、3.50m/min蝕刻線速度為生產(chǎn)COF基板的最佳工藝參數(shù)。半加成法制作精細(xì)線路方面:研究了蝕刻藥水、底銅厚度、Ni-Cr比例對(duì)于差分蝕刻效果的影響,確定了H2SO4/