集成電路課程設計報告 (2)

1、<p><b>　　目 錄</b></p><p>　　1．目的與任務……………………………………………………………………2</p><p>　　2.教學內(nèi)容基要求………………………………………………………………2</p><p>　　3.設計的方法與計算分析………………………………………………………2</p><

2、;p>　　3.1 74HC139芯片簡介……………………………………………………………3</p><p>　　3.2電路設計……………………………………………………………4</p><p>　　3.3功耗與延遲估算……………………………………………………………13</p><p>　　4. 電路模擬……………………………………………………………………… 15&

3、lt;/p><p>　　4.1直流分析………………………………………………………………16</p><p>　　4.2 瞬態(tài)分析……………………………………………………………17</p><p>　　4.3 功耗分析……………………………………………………………………19</p><p>　　5.版圖設計………………………………………………………

4、………………… 21</p><p>　　5.1 輸入級的設計………………………………………………………………21</p><p>　　5.2 內(nèi)部反相器的設計…………………………………………………………21</p><p>　　5.3輸入和輸出緩沖門的設計……………………………………………………22</p><p>　　5.4內(nèi)部邏輯門的設

5、計…………………………………………………………22</p><p>　　5.5輸出級的設計……………………………………………………………23</p><p>　　5.6連接成總電路圖……………………………………………………………24</p><p>　　5.3版圖檢查……………………………………………………………24</p><p>　　6.

6、總圖的整理………………………………………………………………………25</p><p>　　7.經(jīng)驗與體會…………………………………………………………………26</p><p>　　8.參考文獻………………………………………………………………………… 27</p><p>　　附錄A 電路原理圖總圖（一半）……………………………………………………28</p>

7、;<p>　　附錄B 總電路版圖（無焊盤）………………………………………………………29</p><p>　　附錄C總電路版圖（加焊盤）………………………………………………………30</p><p><b>　　集成電路課程設計</b></p><p><b>　　目的與任務</b></p>&

8、lt;p>　　本課程設計是《集成電路分析與設計基礎》的實踐課程，其主要目的是使學生在熟悉集成電路制造技術、半導體器件原理和集成電路分析與設計基礎上，訓練綜合運用已掌握的知識，利用相關軟件，初步熟悉和掌握集成電路芯片系統(tǒng)設計→電路設計及模擬→版圖設計→版圖驗證等正向設計方法。</p><p><b>　　教學內(nèi)容基本要求</b></p><p>　　2.1課程設計

9、題目及要求</p><p>　　器件名稱：含兩個2-4譯碼器的74HC139芯片</p><p><b>　　要求電路性能指標：</b></p><p>　?、趴沈?qū)動10個LSTTL電路（相當于15pF電容負載）；</p><p>　?、戚敵龈唠娖綍r，≤20uA, =4.4V;</p><p>　

10、?、禽敵龅碗娖綍r，≤4mA， =0.4V</p><p>　?、容敵黾壋浞烹姇r間=，＜25ns；</p><p>　?、晒ぷ麟娫?V，常溫工作，工作頻率=30MHZ，總功耗=15mW。</p><p>　　2.2課程設計的內(nèi)容</p><p>　　功能分析及邏輯設計；</p><p>　　電路設計及器件參數(shù)計算；<

11、;/p><p><b>　　估算功耗與延時；</b></p><p><b>　　電路模擬與仿真；</b></p><p><b>　　版圖設計；</b></p><p>　　版圖檢查：DRC與LVS；</p><p><b>　　后仿真(選做)；

12、</b></p><p><b>　　版圖數(shù)據(jù)提交。</b></p><p>　　2.3課程設計的要求與數(shù)據(jù)</p><p>　　獨立完成設計74HC139芯片的全過程；</p><p>　　設計時使用的工藝及設計規(guī)則： MOSIS:mhp_n05；</p><p>　　根據(jù)所用的工藝

13、，選取合理的模型庫；</p><p>　　選用以lambda(λ)為單位的設計規(guī)則；</p><p>　　全手工、層次化設計版圖；</p><p>　　達到指導書提出的設計指標要求。</p><p>　　設計的方法與計算分析</p><p>　　3.1 74HC139芯片簡介</p><p>

14、　　74HC139是包含兩個2線-4線譯碼器的高速CMOS數(shù)字電路集成芯片，能與TTL集成電路芯片兼容，它的管腳圖如圖3-1所示，其邏輯真值表如表3-1所示</p><p>　　圖3-1 74HC139管腳圖</p><p>　　表3-1 74HC139真值表</p><p>　　由于74HC139芯片是由兩個2-4譯碼器組成，兩個譯碼器是獨立的，所以，這里只分析其

15、中一個譯碼器。由真值表可以看出，Cs為片選端，當其為0時，芯片正常工作，當其為1時，芯片封鎖。A1、A0為輸入端，Y0-Y3為輸出端，而且是低電平有效。</p><p>　　分析其邏輯功能，可以得到邏輯表達式：</p><p>　　由邏輯表達式可以得到的邏輯圖如圖3-2所示</p><p>　　圖3-2 74HC139邏輯圖</p><p>

16、<b>　　3.2 電路設計</b></p><p>　　本次電路設計采用的是m12_20.md模型的各參數(shù)。其參數(shù)如下：</p><p>　　N管： =3.9×8.85×F/m =605.3</p><p>　　P管：=3.9×8.85×F/m </p><p>　

17、　3.2.1輸出級電路設計</p><p>　　據(jù)要求，輸出級等效電路如圖3-3所示，輸入Vi為前一級的輸出，可認為是理想的輸出，即=,=。</p><p>　　圖3-3 輸出級等效電路</p><p><b>　?、泡敵黾塏管的計算</b></p><p>　　當輸入為高電平時，輸出為低電平，N管導通，后級TTL有較大

18、的灌電流輸入，要求≤4mA，=0.4V，依據(jù)MOS管的理想電流統(tǒng)一方程式：</p><p>　　可以求出的值。其主要計算如下:</p><p><b>　　=</b></p><p><b>　　=47.27≈48</b></p><p><b>　?、戚敵黾塒管的計算</b>

19、</p><p>　　當輸入為低電平時，輸出為高電平，P管導通。同時要求N管和P管的充放電時間，分別求出這兩個條件下的極限值，然后取大者。</p><p>　　以≤20uA,為條件計算極限值，用MOS管理想電流方程統(tǒng)一表達式：</p><p>　　可以求出的值。其主要計算如下：</p><p><b>　　=</b>&l

20、t;/p><p><b>　　≈0.47≈1</b></p><p>　　N管和P管的充放電時間和表達式分別為</p><p>　　以計算的值。其計算如下：</p><p><b>　　設</b></p><p><b>　　由，故有</b></p&g

21、t;<p><b>　　=</b></p><p>　　代入數(shù)據(jù)，化簡可以得</p><p><b>　　=</b></p><p><b>　　，代入，得到</b></p><p>　　比較兩種方法的，取其中的最大值，即取</p><p>

22、;　　3.2.2內(nèi)部基本反相器中的各MOS 尺寸的計算</p><p>　　內(nèi)部基本反相器如圖3-4所示，它的N管和P管尺寸依據(jù)充放電時間和方程來求。關鍵點是先求出式中的(即負載)。</p><p>　　圖3-4 內(nèi)部反相器</p><p>　　它的負載由以下內(nèi)部反相器（如右圖所示）的負載由CL以下三部分電容組成：</p><p>　?、俦炯?/p>

23、漏極的PN結電容CPN；②下級的柵電容Cg；③連線雜散電容CS。</p><p>　?、俦炯壜OPN結電容CPN計算</p><p>　　CPN＝Cja×（Wb）+Cjp×(2W+2b)</p><p>　　其中Cja是每um2的結電容，Cjp是每um的周界電容，b為有源區(qū)寬度，可從設計規(guī)則獲取。在這里，最小孔為2λ×2λ，孔與多晶硅柵

24、的最小間距為2λ，孔與有源區(qū)邊界的最小間距為2，則取b＝6λ。</p><p>　　總的漏極PN結電容應是P管 的和N管的總和，即：</p><p>　　CPN＝Cja×（WN＋WP）b＋Cjp×(2WN＋2WP＋4b)</p><p>　　分析到整個電路一條支路大概有6個級，取tr=tf=0.5ns，采用的模型參數(shù)有：</p&g

25、t;<p><b>　　代入數(shù)據(jù)到的式子得</b></p><p><b>　　=</b></p><p>　　(注意這里的和都用國際單位表示)</p><p><b>　?、跂烹娙軨g計算</b></p><p>　　Cg＝Cg.N＋Cg.P＝</p>

26、;<p>　　此處和為與本級漏極相連的下一級N管和P管的柵極尺寸，近似取輸出級的和值。</p><p>　　這里和采用輸出級的大小進行計算。由設計規(guī)則，L=2λ，λ=1.0um，代入得到</p><p><b>　　③連線雜散電容Cs</b></p><p>　　一般CPN＋Cg≈10CS，可忽略CS作用。所以，內(nèi)部基本反相器的總

27、負載電容為上述各電容計算值之和。即有</p><p>　　把代入tr和tf的計算式，并根據(jù)tr=tf≤25ns的條件，計算出和。代入的方程有：</p><p><b>　?。P系式⑴）</b></p><p>　　又有=、以及式子聯(lián)立，可以解得</p><p>　　→，聯(lián)立關系式⑴可以解得 </p>

28、<p><b>　　即 </b></p><p>　　3.2.3 內(nèi)部邏輯門MOS尺寸的計算</p><p>　　內(nèi)部邏輯門的電路如圖3-5所示。根據(jù)截止延遲時間和導通延遲時間 的要求，在最壞情況下，必須保證等效N管、P管的等效電阻與內(nèi)部基本反相器的相同，這樣三輸入與非門就相當于內(nèi)部基本反相器了。因此，N管的尺寸放大3倍，而P管尺寸不變，即：&

29、lt;/p><p>　　代入內(nèi)部反相器的寬長比，可以算出邏輯MOS尺寸：</p><p>　　圖3-5 內(nèi)部邏輯門電路</p><p>　　3.2.4輸入級設計</p><p>　　由于本電路是與TTL兼容，TTL的輸入電平ViH可能為2.4V，如果按正常內(nèi)部反相器進行設計，則N1、P1構成的CMOS將有較大直流功耗。故采用圖3-6示的電路，通過

30、正反饋的P2作為上提拉管，使ViH較快上升，減小功耗，加快翻轉(zhuǎn)速度。</p><p>　　圖3-6 輸入級電路</p><p>　?。?）提拉管P2的（W/L）P2計算</p><p>　　為了節(jié)省面積，同時又能使ViH較快上升，取（W/L）P2＝1。理論上，這里取L=2λ,W=2λ。而且為了方便畫圖，這里就去L=6λ。</p><p>　

31、?。?）CMOS 反相器P1管（W/L）P1的計算</p><p>　　此P1管應取內(nèi)部基本反相器的尺寸（具體計算過程見內(nèi)部基本反相器中各MOS尺寸的計算）。因此這里取 </p><p>　　（3）CMOS 反相器N1管（W/L）N1的計算</p><p>　　由于要與TTL電路兼容，而TTL的輸出電平在0.4～2.4V之間轉(zhuǎn)換，因此要選取反相器的狀態(tài)轉(zhuǎn)變電平：&

32、lt;/p><p><b>　　又知：</b></p><p><b>　　,代入數(shù)據(jù)，有</b></p><p><b>　　→→</b></p><p>　　式中：,，兩式子相比，有</p><p><b>　　→ </b><

33、/p><p>　　3.2.5 緩沖級設計</p><p><b>　　⑴輸入緩沖級</b></p><p>　　由74HC139的邏輯圖可知，在輸入級中有三個信號：Cs、A1、A0。其中Cs經(jīng)一級輸入反相器后，形成, 用去驅(qū)動4個三輸入與非門，故需要緩沖級，使其驅(qū)動能力增加。同時為了用驅(qū)動，必須加入緩沖門。由于A1、A0以及、各驅(qū)動內(nèi)部與非門2個

34、，所以可以不用緩沖級。</p><p>　　Cs緩沖級的設計過程如下：</p><p>　　Cs的緩沖級與輸入級和內(nèi)部門的關系如圖3-7所示。</p><p>　　圖3-7 Cs的緩沖級</p><p>　　圖中M1為輸入級，M2為內(nèi)部門，M3為緩沖級驅(qū)動門。M1的P管和N管的尺寸即為上述所述的輸入級CMOS反相器P1管和 N1管尺寸，M2

35、的P管和N管的尺寸即為內(nèi)部基本反相器P1管和 N1管尺寸，M3的P管和N管的尺寸由級間比值（相鄰級中MOS管寬度增加的倍數(shù)）來確定。如果要求尺寸或功耗最佳，級間比值為2～10。具體可取。N為扇出系數(shù)，它的定義是：</p><p>　　在本例中，前級等效反相器柵的面積為M2的P管和N管的柵面積總和，下級柵的面積為4個三輸入與非門中與Cs相連的所有P管和N管的柵面積總和。</p><p>&l

36、t;b>　　因此，</b></p><p><b>　　≈ 6.4</b></p><p><b>　　則</b></p><p><b>　　則有：</b></p><p><b>　?、凭彌_輸出級</b></p><

37、;p>　　由于輸出級部分要驅(qū)動TTL電路，其尺寸較大，因而必須在與非門輸出與輸出級之間加入一級緩沖門M1，如圖3-8所示。將與非門M0等效為一個反相器，類似上述Cs的緩沖級設計，計算出M1的P管和N管的尺寸。</p><p>　　圖3-8 輸出緩沖級</p><p><b>　　計算類似于輸入級：</b></p><p>　　3.2.6

38、輸入保護電路設計</p><p>　　因為MOS器件的柵極有極高的絕緣電阻，當柵極處于浮置狀態(tài)時，由于某種原因（如觸摸），感應的電荷無法很快地泄放掉。而MOS器件的柵氧化層極薄，這些感應的電荷使得MOS器件的柵與襯底之間產(chǎn)生非常高的電場。該電場強度如果超過柵氧化層的擊穿極限，則將發(fā)生柵擊穿，使MOS器件失效，因此要設置保護電路。</p><p>　　可設計如圖3-9所示的輸入保護電路。保護

39、電路中的電阻可以是擴散電阻、多晶硅電阻或其他合金薄膜電阻，其典型值為300～500Ω。二極管的有效面積可取500μm2，或用Shockley方程計算。</p><p>　　由于保護電路計算比較復雜，因此在版圖設計中直接調(diào)用庫中的標準pad，因其包含保持電路，就不必另外的保護電路設計。</p><p>　　圖3-9 保護電路</p><p>　　至此，完成了全部器件

40、的參數(shù)計算，匯總列出各級N管和P管的尺寸如下：</p><p><b>　　輸入級：</b></p><p><b>　　內(nèi)部反相器;</b></p><p><b>　　輸入緩沖級：</b></p><p><b>　　內(nèi)部邏輯門：</b></p&

41、gt;<p><b>　　緩沖輸出級：</b></p><p><b>　　輸出級：</b></p><p>　　3.3 功耗與延遲估算</p><p>　　在估算延時、功耗時，從輸入到輸出選出一條級數(shù)最多的支路進行估算。74HC139電路從輸入到輸出的所有各支路中，只有Cs端加入了緩沖級，因而增加了延時與功

42、耗，因此在估算延時、功耗時，就以Cs支路電路圖(如下圖所示)來簡化估算。</p><p>　　圖3-10 估算延時、功耗Cs支路電路</p><p>　　3.3.1 模型簡化</p><p>　　由于在實際工作中，四個三輸入與非門中只有一個可被選通并工作，而另三個不工作，所以估算功耗時只估算上圖所示的支路即可。</p><p>　　在Cs端經(jīng)

43、三級反相器后，將不工作的三個三輸入與非門等效為負載電容CL1，而將工作的一個三輸入與非門的兩個輸入接高電平，只將Cs端信號加在反相器上。在X點之前的電路，由于A0，A1，Cs均為輸入級，雖然A0、A1比Cs少一個反相器，作為工程估算，可以認為三個輸入級是相同的，于是，估算功耗時對X點這前的部分只要計算Cs這一個支路，最后將結果乘以3倍就可以了。在X點之后的電路功耗，則只計算一個支路。</p><p>　　3.3.

44、2 功耗估算</p><p>　　CMOS電路的功耗中一般包括靜態(tài)功耗、瞬態(tài)功耗、交變功耗。由于CMOS電路忽略漏電，靜態(tài)功耗近似為0，工作頻率不高時，也可忽略交變功耗，則估算時只計算瞬態(tài)功耗PT即可。PT是上述Cs支路各級器件功耗的總和（共有6級），即：</p><p>　　PT=CL總Vdd2fmax</p><p><b>　　其中：</b&g

45、t;</p><p>　　為本級漏極PN結電容，按3.2.2①相關公式計算：</p><p>　　為與本級漏極相連的下一級柵電容，按3.2.2②的計算（這里忽略輸入提拉管的電容做近似計算）：</p><p>　　為本級漏連接到下一級柵連線雜散電容，其值較小，可忽略不計。</p><p>　　為斷開的三個三輸入的非門柵電容，按3.2.2②的計算

46、（這里取其中一個門做近似）：</p><p><b>　　=</b></p><p>　　為最后一級（即輸出級）的下一級柵電容，即負載電容15pF。</p><p>　　X前、X后表示Cs支路電路中X點之前或X點之后的所有器件。</p><p>　　對于74HC139器件，整個芯片功耗為2PT:</p>&

47、lt;p><b>　　符合設計要求。</b></p><p>　　3.3.3 延遲估算</p><p>　　算出每一級等效反相器延遲時間，總的延遲時間為各級（共6級）延遲時間的總和。各級等效反相器延遲時間可用下式估算：</p><p>　　各字母的意義如圖3-11所示。</p><p>　　圖3-11 延遲時間，上

48、升與下降時間</p><p>　　由上面的計算可以看出，，即最后一級（即輸出級）的下一級柵電容比起其它電容都大得多，在這里為了簡化運算，用最后一級功耗乘以級數(shù)進行估算。</p><p>　　所以有 符合設計要求。</p><p><b>　　4.電路模擬</b></p><p>　　電路模擬中為了減小工作量，使用上述

49、功耗與延遲估算部分用過的Cs支路電路圖。為了計算出功耗，在兩個電源支路分別加入一個零值電壓源VI1和VI2，電壓值為零（如下圖3-12所示），在模擬時進行直流掃描分析，然后就可得出功耗。</p><p>　　圖3-12 電路模擬用Cs支路電路</p><p>　　把此電路圖轉(zhuǎn)化為SPICE文件，加入電路特性分析指令和控制語句，即可進行電路模擬。</p><p>　　

50、首先，寬長比采用計算的數(shù)據(jù)，進行一次仿真模擬，但是，從仿真模擬的結果并不理想，直流分析的轉(zhuǎn)變電平?jīng)]有達到1.4V，瞬時分析的輸出波形是一個三角波，達不到設計要求，故為了改變轉(zhuǎn)變電平，對輸入級管的寬長比進行修改。為了改變瞬時分析時輸出的波形，對輸出級管的寬長比也進行適當?shù)男薷模苑显O計的要求。通過修改的寬長比如下：</p><p><b>　　輸入級：</b></p><

51、p><b>　　輸出級：</b></p><p>　　修改為以上數(shù)值后，進行下列各參數(shù)的模擬分析。</p><p><b>　　4.1直流分析</b></p><p>　　直流分析：當VCS由0.4V變化到2.4V過程中，觀察波形得到閾值電壓（狀態(tài)轉(zhuǎn)變電平）VI*。VI*的值應為1.4V。直流分析的電路圖如圖4-1所

52、示，其對應的SPICE文件如圖4-2所示，直流分析的輸入輸出電壓曲線如圖4-3所示。</p><p>　　圖4-1 直流分析電路圖</p><p>　　圖4-2 直流分析SPICE設置</p><p>　　圖4-3 直流分析輸入輸出電壓關系</p><p>　　分析：從電壓關系可以看出，轉(zhuǎn)變電平大約在1.4V左右，符合設計的要求。因此所畫電路

53、通過了直流分析測試。</p><p><b>　　4.2 瞬態(tài)分析</b></p><p>　　從波形中得到tpLH、tpHL、tr和tf，然后進行相關計算。瞬態(tài)分析的電路圖見圖4-4所示，其對應的瞬態(tài)分析的SPICE文件設置見圖4-5所示。對應的瞬態(tài)分析的結果見圖4-6。</p><p>　　圖4-4 瞬態(tài)分析電路圖</p>&

54、lt;p>　　圖4-5 瞬時分析SPICE設置</p><p>　　圖4-6 瞬態(tài)分析輸入輸出電壓關系</p><p>　　由W-edit可以得到其瞬態(tài)參數(shù)如下：</p><p>　　tr=1.93ns tf =2.45ns tpLH=2.60ns tpHL=3.29ns </p><p><b>　　則<

55、/b></p><p><b>　　滿足電路設計要求。</b></p><p><b>　　4.3 功耗分析</b></p><p>　　對電壓源VI1和VI2進行直流掃描分析：“.dc lin source VI1 0 5 0.1 sweep lin source VI2 0 5 0.1 ”，輸出“.pr

56、int dc p( VI1) p(VI2)”。功耗分析的電路原理圖見圖4-7，SPICE文件設置見圖4-8，功耗分析結果見圖4-9。</p><p>　　這里的功耗分析采用的是靜態(tài)功耗，所以這里沒有加入脈沖源，只有直流電源。</p><p>　　圖4-7 功耗分析電路原理圖</p><p>　　圖4-8 功耗分析SPICE設置</p><p&

57、gt;　　圖4-9 功耗分析結果</p><p>　　從波形中得出p( VI1 )max=-782.46pW p(VI2)max=-102.24nW，總功耗：</p><p>　　Ptotal＝2×[3×p( VI1 )max＋p(VI2)max]=209nW</p><p>　　模擬分析得到的結果與設計指標比較。可以看出，這次的電路設計滿足設

58、計要求。</p><p><b>　　版圖設計</b></p><p>　　這次的版圖設計采用的是層次化、全手工設計版圖。</p><p>　　所謂的層次化設計版圖，就是先設計單元版圖，由簡單的單元版圖再組成較復雜的單元版圖，一層層設計，直至完成芯片的整體版圖。</p><p>　　5.1 輸入級的設計</p>

59、;<p>　　輸入級的設計如圖5-1所示，這里根據(jù)電路圖，由于提拉管的寬長比只有1，所以這里的多晶硅柵的寬度采用6λ，其余的多晶硅柵采用2λ的設計方法。</p><p>　　圖5-1 輸入級版圖</p><p>　　5.2 內(nèi)部反相器的設計</p><p>　　內(nèi)部反相器的寬長比比較小，考慮到這個原因，采用了將源、漏極的區(qū)域擴大的方法，以保證能夠符合設

60、計規(guī)則。設計的版圖見圖5-2。</p><p>　　圖5-2 內(nèi)部反相器版圖</p><p>　　5.3 輸入和輸出緩沖門的設計</p><p>　　對于緩沖門，由于其管的寬長比比較大，這里采用了梳狀結構，從而減少了其管的面積，有效的利用的設計空間，其設計原理與內(nèi)部反相器類似。具體的版圖見圖5-3-1和5-3-2。</p><p>　　圖5-

61、3-1 輸入緩沖門 圖5-3-2 輸出緩沖門</p><p>　　5.4 內(nèi)部邏輯門的設計</p><p>　　內(nèi)部邏輯門涉及到的管比較多，區(qū)別于梳狀結構，這里采用了多條多晶硅柵，而又考慮到盡量只用第一層金屬線來布線（這樣在總圖連接引線會更加方便，更加容易），這里引出了多晶硅柵分別接輸入端口。所設計的版圖見圖5-4。</p><p&

62、gt;　　圖5-4 內(nèi)部邏輯門版圖</p><p>　　5.5 輸出級的設計</p><p>　　從計算中可以看出，輸出級的管的寬長比相比其它級來說是最大的，因此這里必須采用梳狀結構。而且需要多個管并聯(lián)來實現(xiàn)較大的寬長比。輸出級的版圖見圖5-5。</p><p>　　圖5-5 輸出級的版圖</p><p>　　5.6 連接成總電路圖</

63、p><p>　　至此，每一個級的版圖都設計出來了，現(xiàn)在可以進行各個版圖的整合成總的版圖。按照圖3-2所示的邏輯圖接線，得到最終的電路版圖（見附錄B）。</p><p>　　得到電路版圖后，算是大部分工作完成了，但是總電路圖還需要加上焊盤，這里引入了PAD模塊焊盤，一方面作保護電路使用，另一方面，則用來連接外部電路。加上焊盤后的電路總圖見附錄C。</p><p><

64、b>　　5.7 版圖檢查</b></p><p>　　5.7.1 版圖設計規(guī)則檢查（DRC）</p><p>　　這一個操作與每一個子模塊的設計必須同步進行。做DRC檢查時應該分成小塊（單元）檢查。每一部分做成一個單元，每個單元進行DRC檢查。在全部通過后，將單元組合成電路，最終做一次全版圖的DRC，以確保全版圖正確。</p><p>　　總圖的版

65、圖設計規(guī)則檢查見圖5-7所示。</p><p>　　圖5-7 總圖的DRC檢查</p><p>　　由DRC檢查結果可以看出，總圖能夠通過DRC檢查。</p><p>　　注：考慮到焊盤加上后DRC檢查不通過的問題，這里只對沒有加焊盤的進行DRC檢查。</p><p>　　5.7.2 電路網(wǎng)表匹配（LVS）檢查</p><

66、p>　　電路圖提取的網(wǎng)表文件(.sp)與版圖提取的網(wǎng)表文件(.spc)，進行元件和節(jié)點的匹配檢查。如果匹配，表明版圖的連接及版圖中各管子的生成是正確的。因此，只要保證電路圖是正確的，LVS檢查就可以驗證版圖的正確性。</p><p>　　LVS檢查的結果見圖5-8。</p><p>　　圖5-8 總圖LVS對照檢查結果</p><p>　　由結果可以看出，電路

67、原理圖與電路版圖匹配正確。</p><p>　　5.7.3 版圖數(shù)據(jù)的提交</p><p>　　所設計的版圖通過DRC和LVS的檢查，及ERC檢查(本次設計不做)，然后轉(zhuǎn)換成制造掩膜用的碼流數(shù)據(jù)。轉(zhuǎn)換成的碼流數(shù)據(jù)見圖5-9。</p><p>　　圖5-9 碼流數(shù)據(jù)截圖</p><p><b>　　總圖的整理</b><

68、;/p><p>　　到這里，原理圖以及版圖的設計都完成了。整理總的原理圖和總的版圖（見附錄A、附錄B、附錄C）。</p><p><b>　　經(jīng)驗與體會</b></p><p>　　這次的課程設計的主要內(nèi)容是集成電路芯片74HC139設計，歷時兩個星期，兩個星期的辛勞，收獲了兩個星期的成果。</p><p>　　這是我上大學

69、以來的第一次感覺比較專業(yè)的一次課程設計。最初接觸到這樣一個設計，感覺是比較無從入手，翻開指導書，見到的是密密麻麻的文字，加上看不懂的公式，不禁有一種比較大的壓力。正如霍金所說的：“公式多一條，讀者將會減少一半?！币腔艚鸾淌谡f的是對的，那么這一本小小的課程設計恐怕比較少人會看。但是，課程設計是我們學習的必經(jīng)階段，因此，只能慢慢去實踐了。</p><p>　　第一天陳老師和劉老師開設了課程設計的課，在課上，老師講解

70、了設計的主要步驟。想到我對這個設計還是一無所知，我聽課比較認真，通過這次的設計指導課，我基本了解了設計的概況，以及有了一個比較基本的設計規(guī)劃目標。</p><p>　　目標確定，接下來就要踏出設計的第一步。萬事開頭難，為了確定電路的各個參數(shù)，我們必須進行相關參數(shù)的計算。雖說是計算，但是在計算中卻遇到了不少的問題，由于計算的公式比較復雜，因此算起結果來也是非常不容易的，這要求我們要細心，對每一件事都要有仔細的有始有

71、終，我們開頭幾天都是蹲在課室里，由早到晚計算，也為了互相幫助，大家都很愿意地留在課室，以方便交流。</p><p>　　計算是一件較為長遠和遇到問題比較多的事。當然除了細心，聰明才智還是可以派上用場。在利用電容的關系計算寬長比是這次計算中的難點，許多同學花了比較多的時間在這個計算上，為了簡化計算，我想了很多的方法，嘗試過利用計算機的解方程軟件幫忙，但是，由于未知參數(shù)以及數(shù)據(jù)實在比較多，輸入到計算機并不好表達，最后

72、只好放棄了這個念頭，還是得實實在在的計算吧。計算的過程真的不好弄，當我在苦算時，有同學已經(jīng)算出了結果，我借鑒了一下他的結果，利用他的結果，我大概估算了一下原方程的數(shù)量級，我恍然大悟，計算并不復雜，只要知道結果的大概數(shù)量級，利用其數(shù)量級的關系，可以使原方程大為簡化，而且簡化后求得的結果與精確計算的結果相差無幾。我按照自己簡化的方法計算，終于解決了計算的難關。</p><p>　　計算完成，接下來的是電路模擬，相比起

73、計算，電路模擬的難度比較少，主要的困難是模擬軟件各參數(shù)的設置，不過由于通過作業(yè)，有了對Tanner Pro軟件的基本了解，因此這次的設置并不難。很快，電路模擬完成了。</p><p>　　接下來的是版圖的設計。在這次的設計中，這個環(huán)節(jié)可以算是重中之重。如果說計算僅僅是小試牛刀，那么版圖設計就是重要的實踐環(huán)節(jié)。不過，由于之前的作業(yè)對Tanner Pro有大概的了解，因此這次的各單元的版圖設計并不是太難，但是我的美術

74、功底比較低，畫圖總覺得很不如人意，因此只有不斷去修改，以求做到完美。這無可避免的是要花比較長的時間，但是我覺得是很值得的，通過畫版圖我覺得自己畫圖的能力提高了。</p><p>　　每一個單元版圖設計花的時間并不多，但是接下來的這個階段，我卻花了大部分的時間。接下來的任務是把各單元組合成版圖的總圖。單純的組合并不麻煩，只需按照電路圖接線就可以，但是要通過LVS檢查，這就比較麻煩了。第一次檢查，發(fā)現(xiàn)了一大堆的錯誤。

75、仔細分析那些錯誤，器件數(shù)沒有問題，都是節(jié)點數(shù)不一致。檢查起來還真的比較困難，但是就算是困難，也要咬緊牙關通過。通過了日日夜夜的辛勞，最終終于發(fā)現(xiàn)了問題，重新接好線，就OK了，完成了LVS檢查，不禁有一種成就感。最后，加上焊盤，版圖的設計也完成了。</p><p>　　這次的課程設計歷時兩個星期，雖然是短短的兩個星期，但是卻帶給了我很多的收獲。首先，我的專業(yè)知識充實了，認識也更加深入，這對我以后在電子行業(yè)的工作是比

76、較有利的。然后，這也培養(yǎng)了我對待每一件事仔細認真的態(tài)度，哪怕是小小的一件事，也要做得完美。這次的設計遇到了不少問題，不過問題對于我們來說并不可怕，可怕的是我們對自己能否解決問題沒有信心，有危必有機，解決問題也是一種機遇，通過這次設計中遇到問題，然后解決了問題，我對自己的設計的信心大大提高，而且學到了許多課本沒有的東西。</p><p>　　兩個星期的設計，收獲的是知識，收獲的是信心，收獲到的是解決問題的決心。&l

77、t;/p><p><b>　　參考文獻</b></p><p>　?、派暇W(wǎng)收集相關資料.</p><p>　　⑵陳先朝. 集成電路課程設計指導書. 2009.</p><p>　?、橇卧Ｔu，陸瑞強編. Tanner Pro 集成電路設計與布局實戰(zhàn)指導[M]. 北京：科學出版社，2007年：1～274.</p>

78、<p>　?、戎煺? 半導體集成電路[M]. 北京：清華大學出版社，2009年：388～409.</p><p>　?、赏踔竟Φ? 集成電路設計[M]. 北京：電子工業(yè)出版社，2008年：1～295.</p><p>　　附錄A 電路原理圖總圖（一半）</p><p>　　附錄B 總電路版圖（無焊盤）</p><p>　　附錄C