電容等效串聯(lián)電感

1、電容等效串聯(lián)電感計(jì)算公式是什么電容等效串聯(lián)電感計(jì)算公式是什么各位大蝦好有那位能給我一個(gè)金屬化膜等效串聯(lián)電阻及電感的計(jì)算公式嗎本人不勝感謝!?電容選擇上都采用的MLCC的電容進(jìn)行退耦，常見(jiàn)的MLCC的電容因?yàn)榻橘|(zhì)的不同可以進(jìn)行不同的分類(lèi)，可以分成NPO的第一類(lèi)介質(zhì)，X7R和Z5V等的第二、三類(lèi)介質(zhì)。EIA對(duì)第二、三類(lèi)介質(zhì)使用三個(gè)字母，按照電容值和溫度之間關(guān)系詳細(xì)分類(lèi)為：第一個(gè)數(shù)字表示下限類(lèi)別溫度：X：－55度；Y：－30度；Z：＋10度第

2、二個(gè)數(shù)字表示上限溫度：4：＋65度；5：＋85度；6：105度；7：125度；8：150度；第三個(gè)數(shù)字表示25度容量誤差：P：＋10％10％；R：＋15％15％；S：＋22％22％；T：＋22％33％；U：＋22％56％；V：＋22％82％例如我們常見(jiàn)的Z5V，表示工作溫度是10度～85度，標(biāo)稱(chēng)容量偏差＋22％82％，為了做成純文檔的格式，盡量采用文字說(shuō)明，不不采用圖片，這樣給理解帶來(lái)一定的困難，看官們見(jiàn)笑了。設(shè)電源引腳和地引腳的封裝電

3、感和引線(xiàn)電感之和分別為：Lv和Lg。兩個(gè)互補(bǔ)的MOS管（接地的NMOS和接電源的PMOS）簡(jiǎn)單作為開(kāi)關(guān)使用。假設(shè)初始時(shí)刻傳輸線(xiàn)上各點(diǎn)的電壓和電流均為零，在某一時(shí)刻器件將驅(qū)動(dòng)傳輸線(xiàn)為高電平，這時(shí)候器件就需要從電源管腳吸收電流。在時(shí)間T1，使PMOS管導(dǎo)通，電流從PCB板上的VCC流入，流經(jīng)封裝電感Lv，跨越PMOS管，串聯(lián)終端電阻，然后流入傳輸線(xiàn)，輸出電流幅度為VCC（2Z0）。電流在傳輸線(xiàn)網(wǎng)絡(luò)上持續(xù)一個(gè)完整的返回（RoundTrip）時(shí)

4、間，在時(shí)間T2結(jié)束。之后整個(gè)傳輸線(xiàn)處于電荷充滿(mǎn)狀態(tài)，不需要額外流入電流來(lái)維持。當(dāng)電流瞬間涌過(guò)封裝電感Lv時(shí)，將在芯片內(nèi)部的電源提供點(diǎn)產(chǎn)生電壓被拉低的擾動(dòng)。該擾動(dòng)在電源中被稱(chēng)之為同步開(kāi)關(guān)噪聲（SSN，SimultaneousSwitchingNoise；SSO，SimultaneousSwitchingOutputNoise）或DeltaI噪聲。在時(shí)間T3，關(guān)閉PMOS管，這一動(dòng)作不會(huì)導(dǎo)致脈沖噪聲的產(chǎn)生，因?yàn)樵诖酥癙MOS管一直處于打開(kāi)

5、狀態(tài)且沒(méi)有電流流過(guò)的。同時(shí)打開(kāi)NMOS管，這時(shí)傳輸線(xiàn)、地平面、封裝電感Lg以及NMOS管形成一回路，有瞬間電流流過(guò)開(kāi)關(guān)B，這樣在芯片內(nèi)部的地結(jié)點(diǎn)處產(chǎn)生參考電平點(diǎn)被抬高的擾動(dòng)。該擾動(dòng)在電源系統(tǒng)中被稱(chēng)之為地彈噪聲（GroundBounce，我個(gè)人讀著地tan）。實(shí)際電源系統(tǒng)中存在芯片引腳、PCB走線(xiàn)、電源層、底層等任何互連線(xiàn)都存在一定電感值，因此上面就IC級(jí)分析的SSN和地彈噪聲在進(jìn)行BoardLevel分析時(shí)，以同樣的方式存在，而不僅僅局

6、限于芯片內(nèi)部。就整個(gè)電源分布系統(tǒng)來(lái)說(shuō)（PowerDistributeSystem）來(lái)說(shuō)，這就是所謂的電源電壓塌陷噪聲。因?yàn)樾酒敵龅拈_(kāi)關(guān)操作以及芯片內(nèi)部的操作，需要瞬時(shí)的從電源抽取較大的電流，而電源特性來(lái)說(shuō)不能快速響應(yīng)該電流變化，高速開(kāi)關(guān)電源開(kāi)關(guān)頻率也僅有MHz量級(jí)。為了保證芯片附近電源線(xiàn)上的電壓不至于因?yàn)镾SN和地彈噪聲降低超過(guò)器件手冊(cè)規(guī)定的容限，這就需要在芯片附近為高速電流需求提供一個(gè)儲(chǔ)能電容，這就是我們所要的退耦電容。如果電容是理

7、想的電容，選用越大的電容當(dāng)然越好了，因?yàn)樵酱箅娙菰酱?，瞬時(shí)提供電量的能力越強(qiáng)，由此引起的電源軌道塌陷的值越低，電壓值越穩(wěn)定。但是，實(shí)際的電容并不是理想器件，因?yàn)椴牧?、封裝等方面的影響，具備有電感、電阻等附加特性；尤其是在高頻環(huán)境中更表現(xiàn)的更像電感的電氣特性。我們都知道實(shí)際電容的模型簡(jiǎn)單的以電容、電阻和電感建立。除電容的容量C以外，還包括以下寄生參數(shù)：在此，需要說(shuō)明我們引入的去耦電容是為了去除比電源的去耦電容沒(méi)有濾除的更高頻率的噪聲，例如

8、在電路板級(jí)參數(shù)中串聯(lián)電感約為L(zhǎng)serial＝5nH，那么電源的退耦頻率：Fbypass＝Xmax(2piLserial)＝982KHz，這就是電源本身的濾波頻率，當(dāng)頻率高于此頻率時(shí)，電源電路的退耦電路不起作用，需要引入芯片的退耦電容進(jìn)行濾波。另外引入另外一個(gè)參數(shù)——轉(zhuǎn)折點(diǎn)頻率Fknee，該頻率決定了數(shù)字電路中主要的能量分布，高于該頻率的分量認(rèn)為對(duì)數(shù)字電路的上升沿和下降沿變化沒(méi)有貢獻(xiàn)。在HighSpeedDigitalDesign:AHB

9、ookofBlackMagic這本書(shū)的第一章就詳細(xì)的討論了該問(wèn)題，在此不進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。只是引入其中推倒的公式：Fknee＝（12Tr）＝250MHz，其中Tr＝2ns；可見(jiàn)Fknee遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于Fbypass，5nH的串聯(lián)電感肯定是不行了。那么計(jì)算：Ltot＝Xmax(2piFknee)＝(XmaxTrpi)=19.7pH如前面提到的常見(jiàn)的貼片電容的串聯(lián)電感在1.5nH左右，所需要的電容個(gè)數(shù)是：N＝（LserialLtot）=76個(gè)，另外當(dāng)

10、頻率降到Fbypass的時(shí)候，也應(yīng)該滿(mǎn)足板級(jí)容抗需要即：Carray=(1（2piFbypassXmax）)＝5.23uF；Celement=CarrayN=69nF.1、電容容值；2、電介質(zhì)材料；3、電容的幾何尺寸和放置位置。?添加評(píng)論評(píng)論讀取中...請(qǐng)登錄后再發(fā)表評(píng)論!取消?kpgyeqjgo|2010011601:25:50?有0人認(rèn)為這個(gè)回答不錯(cuò)|有0人認(rèn)為這個(gè)回答沒(méi)有幫助?磁珠的原理磁珠的主要原料為鐵氧體。鐵氧體是一種立方晶格

11、結(jié)構(gòu)的亞鐵磁性材料。鐵氧體材料為鐵鎂合金或鐵鎳合金，它的制造工藝和機(jī)械性能與陶瓷相似，顏色為灰黑色。電磁干擾濾波器中經(jīng)常使用的一類(lèi)磁芯就是鐵氧體材料，許多廠商都提供專(zhuān)門(mén)用于電磁干擾抑制的鐵氧體材料。這種材料的特點(diǎn)是高頻損耗非常大，具有很高的導(dǎo)磁率，他可以是電感的線(xiàn)圈繞組之間在高頻高阻的情況下產(chǎn)生的電容最小。對(duì)于抑制電磁干擾用的鐵氧體，最重要的性能參數(shù)為磁導(dǎo)率μ和飽和磁通密度Bs。磁導(dǎo)率μ可以表示為復(fù)數(shù)，實(shí)數(shù)部分構(gòu)成電感，虛數(shù)部分代表?yè)p耗