射線模擬試題

1、射線核工業(yè)射線核工業(yè)I級(jí)模擬試題級(jí)模擬試題一、是非題（共一、是非題（共25題，每題題，每題2分，以分，以“”表示正確，以表示正確，以“”表示不正確）表示不正確）1ASME規(guī)范是美國(guó)材料試驗(yàn)學(xué)會(huì)制定的，主要用于我國(guó)秦山一期核電站建造。（1）2世界核電發(fā)展的實(shí)踐證明，質(zhì)量保證是保證核電廠安全、可靠運(yùn)行必不可少的一種手段。（1）3核工業(yè)無(wú)損檢測(cè)I級(jí)人員應(yīng)在II、III級(jí)人員的指導(dǎo)下，根據(jù)檢測(cè)規(guī)程等文件要求進(jìn)行檢測(cè)操作。（1）4ASMEV（20

2、04版）《無(wú)損檢測(cè)》B分卷是參考性標(biāo)準(zhǔn)，為非強(qiáng)制性的。（1）5ASMEV（2004版）規(guī)定：焊縫表面成型應(yīng)保持原狀，只需對(duì)附著物，如：焊渣、飛濺物等進(jìn)行清理就可實(shí)施檢測(cè)。（2）6ASMEV（2004版）規(guī)定：在任何可以實(shí)施的情況下，應(yīng)當(dāng)采用單壁透照技術(shù)。（1）7黑度計(jì)應(yīng)在工作開(kāi)始前、連續(xù)使用8小時(shí)后或測(cè)量光圈改變時(shí)進(jìn)行周期校驗(yàn)驗(yàn)證。（1）8ASME規(guī)范第V卷規(guī)定：位置標(biāo)記應(yīng)放在工件上，也可以放在曝光暗袋或暗盒上。（2）9無(wú)損檢測(cè)在核電建

3、造的全過(guò)程中除設(shè)計(jì)外，在設(shè)備制造、安裝、運(yùn)行、退役中都得到應(yīng)用。（2）10ASMEV（2004版）規(guī)定：除非特殊情況，一般應(yīng)使射線束的中心對(duì)準(zhǔn)受檢區(qū)域的中心。（1）11核工業(yè)七大常規(guī)無(wú)損檢測(cè)方法為：射線檢測(cè)、超聲波檢測(cè)、渦流檢測(cè)、磁粉檢測(cè)、滲透檢測(cè)、聲發(fā)射檢測(cè)和目視檢測(cè)。（2）12用?射線透照厚度差較大的工件時(shí)，可采用放置濾波板的方法增大寬容度。（1）13對(duì)某一曝光曲線，應(yīng)使用同一類型的膠片，但可更換不同的X射線機(jī)。（2）14源輻射強(qiáng)度

4、一定時(shí)，增大距離便可減少劑量率或照射量。（2）15核電建造中，在對(duì)厚工件焊縫射線檢測(cè)時(shí)，若工件中裂紋的兩面結(jié)合較緊，即使透照方向適當(dāng)，也難于檢出。（1）二、單項(xiàng)選擇題（將正確答案所標(biāo)英文字母填入括號(hào)）二、單項(xiàng)選擇題（將正確答案所標(biāo)英文字母填入括號(hào)）1ASMEV（2004版）規(guī)定：黑度計(jì)在使用期間的校驗(yàn)時(shí)間相隔應(yīng)至少：（）A.60天；B.90天；C.120天；D.一年。2根據(jù)ASMEV（2004版）要求：?jiǎn)伪谟^察時(shí)，當(dāng)要求環(huán)縫（材料）全部

5、覆蓋時(shí)，曝光至少進(jìn)行：（）A.二次互成90?；B.四次相隔90?；C.三次互成120?；D.六次互成60?。3ASMEV（2004版）規(guī)定射線照射的黑度，以X射線透照并作單片觀察時(shí)，其黑度應(yīng)為：（）A.1.8~4.0；B.2.0~4.0；C.1.3~4.0；D.1.5~4.0。4ASMEV（2004版）規(guī)定幾何不清晰度的最大限值；在材料厚度?50mm時(shí)；幾何不清晰度不應(yīng)超過(guò)：（）A.0.20；B.0.51；C.0.46；D.0.030。

6、5ASMEV（2004版）規(guī)定像質(zhì)計(jì)置于源側(cè)，當(dāng)手不能將像質(zhì)計(jì)置于源側(cè)時(shí)，像質(zhì)計(jì)應(yīng)置于與被檢工件接觸的膠片側(cè)，在像質(zhì)計(jì)旁邊或在它上面放置的鉛字為：（）A.“B”；B.“F”；C.“R”；D.“J”。6焊縫檢驗(yàn)時(shí)，線型像質(zhì)計(jì)應(yīng)放在焊縫上，長(zhǎng)度方向與焊縫長(zhǎng)度方向垂直，識(shí)別標(biāo)記和鉛字符號(hào)等在正常情況下：（）A.不應(yīng)放在被檢區(qū)域；B.應(yīng)放在被檢區(qū)域；C.兩者都可以；D.未作規(guī)定。7ASMEV（2004版）規(guī)定在特殊情況下，對(duì)圓筒形容器射線源位于

7、容器軸線上對(duì)整個(gè)圓周進(jìn)行射線一次射線照相曝光時(shí)，應(yīng)至少放置幾個(gè)像質(zhì)計(jì)。（）A.四個(gè)像質(zhì)計(jì)；B.六個(gè)像質(zhì)計(jì)；C.三個(gè)像質(zhì)計(jì)；D.未作規(guī)定。8ASMEV（2004版）規(guī)定所有的射線底片都不應(yīng)當(dāng)有：（）。A.機(jī)械污損；B.化學(xué)污損；C.其他污損；D.以上都是。9針對(duì)某一具體產(chǎn)品或產(chǎn)品上的某一部件，依據(jù)規(guī)范和圖樣要求制定的工藝文件是：（）A.工藝規(guī)程；B.工作程序；C.工藝卡；D.以上都是。10在射線檢測(cè)實(shí)際工作中，由曝光曲線確定透照厚度所需的