傳感器試卷及答案1

1、1傳感器原理與應(yīng)用試題答案（一）傳感器原理與應(yīng)用試題答案（一）一填空（在下列括號(hào)中填入實(shí)適當(dāng)?shù)脑~匯，使其原理成一填空（在下列括號(hào)中填入實(shí)適當(dāng)?shù)脑~匯，使其原理成立5分）分）1用石英晶體制作的壓電式傳感器中，晶面上產(chǎn)生的用石英晶體制作的壓電式傳感器中，晶面上產(chǎn)生的電荷電荷與作用在晶面上的壓強(qiáng)成正比，而與晶片與作用在晶面上的壓強(qiáng)成正比，而與晶片幾何尺寸幾何尺寸和面積無(wú)關(guān)。和面積無(wú)關(guān)。2把被測(cè)非電量的變化轉(zhuǎn)換成線圈互感變化的互感式把被測(cè)非電量的

2、變化轉(zhuǎn)換成線圈互感變化的互感式傳感器是根據(jù)傳感器是根據(jù)變壓器變壓器的基本原理制成的，其次級(jí)繞組都的基本原理制成的，其次級(jí)繞組都用同名端反向同名端反向形式連接，所以又叫差動(dòng)變壓器式傳感器。形式連接，所以又叫差動(dòng)變壓器式傳感器。3閉磁路變隙式電感傳感器工作時(shí)，銜鐵與被測(cè)物體閉磁路變隙式電感傳感器工作時(shí)，銜鐵與被測(cè)物體連接。當(dāng)被測(cè)物體移動(dòng)時(shí)，引起磁路中氣隙連接。當(dāng)被測(cè)物體移動(dòng)時(shí)，引起磁路中氣隙尺寸尺寸發(fā)生相發(fā)生相對(duì)變化，從而導(dǎo)致圈對(duì)變化，從而

3、導(dǎo)致圈磁阻磁阻的變化。的變化。4電阻應(yīng)變片是將被測(cè)試件上的電阻應(yīng)變片是將被測(cè)試件上的應(yīng)變應(yīng)變轉(zhuǎn)換成轉(zhuǎn)換成電阻電阻的傳的傳感元件。感元件。5影響金屬導(dǎo)電材料應(yīng)變靈敏系數(shù)影響金屬導(dǎo)電材料應(yīng)變靈敏系數(shù)K。的主要因素是。的主要因素是導(dǎo)電材料幾何尺寸的變化。導(dǎo)電材料幾何尺寸的變化。評(píng)分標(biāo)準(zhǔn)：每填一個(gè)空，評(píng)分標(biāo)準(zhǔn)：每填一個(gè)空，2.5分，意思相近分，意思相近2分。3時(shí)，將引起傳感器的（時(shí)，將引起傳感器的（BD）。A靈敏度增加靈敏度增加B靈敏度減小靈敏

4、度減小C非統(tǒng)性誤差增加非統(tǒng)性誤差增加D非線性誤差減小非線性誤差減小5在光線作用下，半導(dǎo)體的電導(dǎo)率增加的現(xiàn)象屬于在光線作用下，半導(dǎo)體的電導(dǎo)率增加的現(xiàn)象屬于（BD）。A外光電效應(yīng)外光電效應(yīng)B內(nèi)光電效應(yīng)內(nèi)光電效應(yīng)C光電發(fā)射光電發(fā)射D光導(dǎo)效應(yīng)光導(dǎo)效應(yīng)評(píng)分標(biāo)準(zhǔn)：評(píng)分標(biāo)準(zhǔn)：345題回答對(duì)一個(gè)題回答對(duì)一個(gè)2分，分，1題（題（A.B.D）回答對(duì)一個(gè)回答對(duì)一個(gè)2分，兩個(gè)分，兩個(gè)3分，分，2題（題（B）不對(duì)沒(méi)有得分。）不對(duì)沒(méi)有得分。三、回答下列問(wèn)題（每題三

5、、回答下列問(wèn)題（每題5分，答出原理分，答出原理3分，說(shuō)明分，說(shuō)明2分）分）1為什么為什么1212橋能提高靈敏度，減小非線性；利用橋橋能提高靈敏度，減小非線性；利用橋路中相鄰臂電阻變化相反，對(duì)鄰臂電阻變化相同的特點(diǎn)，路中相鄰臂電阻變化相反，對(duì)鄰臂電阻變化相同的特點(diǎn)，將兩個(gè)工作應(yīng)變片接入電橋的相鄰臂，將兩個(gè)工作應(yīng)變片接入電橋的相鄰臂，并使它們一個(gè)受并使它們一個(gè)受拉，另一個(gè)受壓拉，另一個(gè)受壓，如圖所示，稱為半橋差動(dòng)電橋，半橋，如圖所示，稱為半