集成復(fù)習(xí)整理

1、第一章1.1集成電路的印象體積小質(zhì)量輕；高速度；低功耗；高可靠性；電子整機(jī)低成本；電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)周期短微電子學(xué)——微型電子學(xué)；核心——集成電路；微電子技術(shù)專(zhuān)指從事半導(dǎo)體集成電路設(shè)計(jì)和制造的工作，由于多用材料主要是半導(dǎo)體，因此又常稱(chēng)為半導(dǎo)體集成電路；由于整個(gè)電路在一層薄如紙的一層硅片內(nèi)完成，有人將半導(dǎo)體集成電路為芯片或半導(dǎo)體芯片。1956年，晶體管的發(fā)明人威廉肖克利(WilliamShockley)在斯坦福大學(xué)南邊的山景城創(chuàng)立肖克利半導(dǎo)體實(shí)

2、驗(yàn)室。1957年，肖克利決定停止對(duì)硅晶體管的研究。當(dāng)時(shí)公司的八位工程師出走成立了仙童(Fairchild)半導(dǎo)體公司，稱(chēng)為“八叛逆”。“八叛逆”里的諾伊斯和摩爾后來(lái)創(chuàng)辦了英特爾(Intel)公司。在仙童工作過(guò)的人中，斯波克后來(lái)成為國(guó)民半導(dǎo)體公司的CEO，另一位桑德斯則創(chuàng)辦了AMD公司。英特爾仍是全球最大半導(dǎo)體廠商集成電路的制造：400多道工序；芯片制造過(guò)程：晶圓處理、晶圓針測(cè)、封裝、成品測(cè)試等；在晶圓上制作電路及電子元件，晶圓上就形成了

3、一個(gè)個(gè)的小格，即晶粒。對(duì)每個(gè)晶粒檢測(cè)其電氣特性，并將不合格的晶粒標(biāo)上記號(hào)后，將晶圓切開(kāi)，分割成一顆顆單獨(dú)的晶粒。處理后的晶圓排滿成百上千個(gè)集成電路。晶圓是指硅半導(dǎo)體積體電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱(chēng)為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高達(dá)0.99999

4、999999。晶圓制造廠再將此多晶硅融解，再于融液內(nèi)摻入一小粒的硅晶體晶種，然后將其慢慢拉出，以形成圓柱狀的單晶硅晶棒，由于硅晶棒是由一顆小晶粒在熔融態(tài)的硅原料中逐漸生成，此過(guò)程稱(chēng)為“長(zhǎng)晶”。硅晶棒再經(jīng)過(guò)研磨，拋光，切片后，即成為積體電路工廠的基本原料——硅晶圓片，這就是“晶圓”。在一塊半徑為R的圓形晶圓片上制造面積為A的方形芯片的晶圓面積利用率為：2A1）（R???集成電路集成度的提高主要依賴(lài)于：（1）晶體管尺寸的縮?。唬?）芯片面積

5、的增大（60年代是1mm^2，20世紀(jì)末超過(guò)了1cm1cm）。集成度：一塊集成電路芯片（單位面積）中所包含的元器件（晶體管）數(shù)目【真空電子管】金屬里是有電子的，在很高的電壓作用下有可能把冷金屬里的電子拉出來(lái)，在不太高的電壓作用下也可能把熱金屬里的電子拉出來(lái)。現(xiàn)在我們把兩塊金屬封在一個(gè)真空的玻璃管里，一塊加熱一塊不加熱，那么我們就可以輕易把熱金屬里的電子拉向冷金屬，而很難把冷金屬的電子拉向熱金屬。這樣就使得這個(gè)管子具有了單向?qū)щ姷奶匦裕?/p>

6、子從熱金屬飛向冷金屬，在物理上就定義為電流從冷金屬流向了熱金屬。使用真空的原因是為了避免空氣分子對(duì)電子運(yùn)動(dòng)造成不利影響。以上就是電子二極管的原理，它的特性是單向?qū)щ?，熱金屬為陰極（負(fù)極），冷金屬為陽(yáng)極（正極）。陰極通常是用燈絲或者旁邊裝有燈絲的金屬片制作的，而陽(yáng)極則是普通金屬片。摩爾定律：集成電路芯片的集成度每三年提高4倍（18個(gè)月翻一番），而加工特征尺寸縮小2倍。?集成電路的發(fā)展方向?特征尺寸繼續(xù)等比例縮??；?晶圓尺寸向300mm以上