1.47μm半導體激光器結構設計與模擬

1、分類號： 型星壘璺U D C ： 6 2 0密級：亙公玨編號：——1 ．4 7 l J l m 半導體激光器結構設計與模擬T H E S T R U C T U R E D E S I G N A N D S I M U L A T I O N O F 1 ．4 7 p mS E M I C o N D U C T o R L A S E R學位授予單位及代碼：量壹理王太堂 ( ! Q ! 晝魚2學科專業(yè)名稱及代碼：堂堂三捏 lQ 壘Q

2、 圣Q Q 2研究方向： 羞魚王撞苤區(qū)廛旦 申請學位級別： 亟±指導教師： 奎鹽 嬰塞旦 研究生： 隆邊這論文起止時間：2 0 1 1 ．1 0 —2 0 1 2 ．1 2摘 要1 ．4 7 1 x m 是半導體激光器的一個常見的波長，它最初主要被應用于光通信領域，后來進一步拓展到了安全技術領域、醫(yī)療、通信、生物工程、光譜分析等方面。本文主要對1 ．4 7 1 x m 半導體激光器在材料和器件結構方面進行了研究以及模擬。本文對

3、I n G a A s P ／I n P 材料系進行了討論研究，并且通過應變量子阱理論還有器件結構理論，得到合適的應變量和阱寬、壘寬、量子阱數(shù)目等合理的激光器參數(shù)。根據材料閾值、溫度特性、電學特性等，進而設計了激光器的腔長、S C H 結構、以及波導層等，得到我們所需的激光器結構。半導體激光器對溫度變化很敏感，因而溫度特性對半導體激光器來說是一個很重要的性質。我們通過模擬軟件L a s t i p 對本文設計的激光器進行了與溫度相關模擬