外文翻譯--p型gaas光電陰極銫氧激活層的低能電子顯微鏡和俄歇電子能譜研究

1、中文 中文 4300 字畢業(yè)設計(論文)外文資料翻譯學 院 : 電子工程與光電技術學院 專 業(yè) : 電子科學與技術 姓 名 :學 號 :外 文 出 處 :( 用 外 文 寫 )附 件 : 1.外文資料翻譯譯文；2.外文原文。對 NEA 表面的影響是很大的。在本研究中，我們使用低能量電子顯微鏡（LEEM）檢測在不同的 NEA 制備方法，NEA 表面降解，及熱加工中的 NEA 表面的變化情況。Cs/O 比采用 AES 監(jiān)測。在這些

2、結論中，O 和真空勢壘的影響也將被討論。二．實驗LEEM 儀器用來監(jiān)測兩個參數(shù)的依屬和時間演變過程（相對 QE 值和光電陰極的功函數(shù)）通過 LEEM 光電子的投影柱強度來檢測相對 QE 值，也就是說，用電子顯微鏡（PEEM）模式。于功函數(shù)的測量，陰極連續(xù)發(fā)射電子束（LEEM 模式），電子反射率的取決于樣品光電陰極之間的電壓差，同時記錄電子源（啟動電壓）。測量時，啟動電壓比功函數(shù)小，電子反射率是 100％（鏡面電子顯微鏡，MEM），啟動電

3、壓增加了電子注入的閾值而隨后反射率急劇下降。去卷積程序能非常精確的測量的功函數(shù)的變化;這里，我們使用的交點嵌合于該反射的上方和下方的切線電子注入閾值（參照圖 1）。 圖 1.反射率與啟動電壓為砷化鎵清洗后（藍線）和 NEA 制備后（紅線）。功函數(shù)改變通過測量切線嵌合于該反射下車的交點上述注射閾值（虛線）確定。工業(yè)制作的光陰極 p 型（001）的 GaAs 體晶片，用 Zn 的摻雜劑濃度為 1019cm-3，.GaA 芯片的洗滌通