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1、模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)總結(jié) 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)總結(jié)本頁(yè)是..最新發(fā)布的《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)總結(jié)》的具體..文章,感覺(jué)很有用處,看完假如覺(jué)得有關(guān)心請(qǐng)記得保藏本頁(yè)。 篇一:模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)總結(jié)第一章 晶體二極管及應(yīng)用電路 一、半導(dǎo)體學(xué)問(wèn) 1.本征半導(dǎo)體 ·單質(zhì)半導(dǎo)體材料是具有 4 價(jià)共價(jià)鍵晶體結(jié)構(gòu)的硅(Si)和鍺(Ge) (圖 1-2) 。前者是制造半導(dǎo)體 IC 的材料(三五價(jià)化合物**化鎵 GaAs 是微波毫米波半導(dǎo)體器件和 IC的重要
2、材料) 。 ·純潔(純度 7N)且具有完整晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體。在肯定的溫度下,本征半導(dǎo)體內(nèi)的最重要的物理現(xiàn)象是本征激發(fā)(又稱熱激發(fā)或產(chǎn)生) (圖 1-3) 。本征激發(fā)產(chǎn)生兩種帶電性質(zhì)相反的載流子——自由電子和空穴對(duì)。溫度越高,本征激發(fā)越強(qiáng)。 ·空穴是半導(dǎo)體中的一種等效?q 載流子。空穴導(dǎo)電的本質(zhì)是價(jià)電子依次填補(bǔ)本征晶格中的空位,使局部顯示?q 電荷的空位宏觀定向運(yùn)動(dòng)(圖 1-4) 。 ·在肯定的
3、溫度下,自由電子與空穴在熱運(yùn)動(dòng)中相遇,使一對(duì)自由電子和空穴消逝的現(xiàn)象稱為載流子復(fù)合。復(fù)合會(huì)形成一個(gè)特別的薄層——PN 結(jié)(圖 1-8) 。·PN 結(jié)是非中性區(qū)(稱空間電荷區(qū)) ,存在由 N 區(qū)指向 P 區(qū)的內(nèi)建電場(chǎng)和內(nèi)建電壓;PN 結(jié)內(nèi)載流子數(shù)遠(yuǎn)少于結(jié)外的中性區(qū)(稱耗盡層) ;PN 結(jié)內(nèi)的電場(chǎng)是阻擋結(jié)外兩區(qū)的 1 多子越結(jié)集中的(稱勢(shì)壘層或阻擋層) 。 ·正偏 PN 結(jié)(P 區(qū)外接高于 N 區(qū)的電壓)有隨正偏電壓指數(shù)
4、增大的電流;反偏 PN 結(jié)(P 區(qū)外接低于 N 區(qū)的電壓) ,在使 PN 結(jié)擊穿前,只有其值很小的反向飽和電流 IS。即PN 結(jié)有單向?qū)щ娞匦裕ㄕ珜?dǎo)通,反偏截止) 。 v/V ?1),其中,在 T=300K 時(shí),熱電壓 VT?26mV。·PN 結(jié)的伏安方程為:i?IS(e T ?? ·非對(duì)稱 PN 結(jié)有 PN 結(jié)(P 區(qū)高摻雜)和 PN 結(jié)(N 區(qū)高摻雜) ,PN 結(jié)主要向低.寫(xiě)作 摻雜區(qū)域延長(zhǎng)(圖 1-9) 。
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