σ-π共軛導電高分子[(SiH2)m-(CH=CH)n]k的理論研究.pdf

1、以硅為原料的導電高分子聚合物很多是依賴σ電子離域且具有較好的穩(wěn)定性，并且其電導率可以在絕緣體-半導體-金屬態(tài)較寬的范圍內變化。含碳的導電高分子材料很多依賴π電子離域，穩(wěn)定性不理想卻具有優(yōu)良的導電性能。于是有目的地組合配置σ-π離域的各級結構將對開發(fā)新型導電高分子材料做出重要貢獻。近年來，改善高分子聚合物導電性能的方法普遍是在高分子聚合物的主鏈上引入一些基團使之形成σ-π共軛導電高分子聚合物。因此，本文應用計算化學相關軟件進行理論研究，探

2、索σ-π共軛導電高分子[(SiH2)m-(CH=CH)n]k的反式和順式構型導電性能的變化規(guī)律。
　　 本文利用ATK軟件結合Gaussian程序包計算了σ-π共軛導電高分子[(SiH2)m-(CH=CH)n]k（m=1、2、3、4，n=1、2、3，k=2、3、4）的反式和順式構型的傳輸機理，結果表明，σ-π共軛導電高分子[(SiH2)m-(CH=CH)n]k中硅片段、摻雜的碳碳雙鍵個數(shù)、分子鏈長對其傳輸性質有明顯影響，反式研究