三元超導化合物Sc-,5-Ir-,4-Si-,10-的超導電性.pdf

1、三元超導化合物R5T4X10（其中R=Sc，Y，Lu；T=Co，Rh，Ir，Os；X=Si，Ge）屬于Sc5Co4Si10型結(jié)構，是簡單四邊形結(jié)構，空間群P4/mbm。這種結(jié)構的最大特點是不含TM（過渡金屬）-TM鍵，所以與其他三元超導化合物不同，其超導性與過渡金屬團簇無關。這些硅化物通常表現(xiàn)出電荷密度波和磁性或超導性的共存特性，但Sc5Ir4Si10卻沒有表現(xiàn)出電荷密度波，而表現(xiàn)出最高的超導轉(zhuǎn)變溫度（Tc約為8．5K），是唯一的例外。

2、本文通過電測量和磁測量研究了Sc5Ir4Si10超導材料包括電阻、磁化強度、臨界電流密度、上臨界場等在內(nèi)的物理性質(zhì)，著重研究了其比熱性質(zhì)以及配對機制問題，主要內(nèi)容如下： 1．采用掃描電鏡（SEM）觀察了樣品的表面形貌，并分析其物質(zhì)組成；用X射線衍射（XRD）衍射峰根據(jù)Bragg公式計算得出晶面間距，從而確定樣品為c軸取向樣品。 2．用四引線法測量樣品的電阻溫度關系，確定樣品的超導轉(zhuǎn)變溫度，并用Bloch-Gruneise

3、n公式對R-T。曲線進行了擬合。 3．通過磁測量確定樣品的臨界電流密度，從而計算出釘扎力，并對釘扎力進行了簡單標度，推測其對簡單標度的偏離是因為順磁中心的影響；根據(jù)實驗測得的M-T曲線得出上臨界場與溫度的關系曲線，上臨界場的各向異性說明其為層狀超導結(jié)構，隨后我們并根據(jù)WHH模型對Hc2-T曲線進行了擬合。 4．采用4-Einstein峰擬合品格比熱的方法對高溫部分進行處理，成功地分離了晶格比熱和電子比熱。低溫下的比熱用德