SIC材料由于其優(yōu)良的熱，電，機械等方面的優(yōu)異性能被廣泛應用于冶金，化工，能源，生物，半導體材料與器件等多個領(lǐng)域。但是，傳統(tǒng)制備方法制備SIC存在制備溫度高，電能消耗量大，環(huán)境污染嚴重等諸多問題。材料學者們不斷探索，尋求一種新的綠色制備SIC的工藝，近年來...
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 你的溫度 / 發(fā)布時間：2024-03-09 / 7人氣
第1頁共6頁SIC材料的制備與應用摘要摘要本文主要介紹了SIC材料的制備方法，通過不同制備的方法獲得不同結(jié)構(gòu)的SIC，其中主要有ΑSIC、ΒSIC和納米SIC。并介紹了SIC材料在材料中的應用。關(guān)鍵詞關(guān)鍵詞ΑSIC；ΒSIC；納米SIC；前言前言SIC是人造強共價健化合物材料,碳化...
下載價格：6 賞幣 / 發(fā)布人： 世中仙 / 發(fā)布時間：2024-03-16 / 7人氣
SICSIC復合材料是一種新型超高溫材料，在航空航天領(lǐng)域有具有廣闊的應用前景，很有希望成為一種性能優(yōu)異的結(jié)構(gòu)吸波材料?；瘜W氣相滲透法CVI是制備纖維增韌陶瓷基復合材料的最基本和實用的方法。本文以減壓化學氣相滲透法LPCVI制備了具有熱解碳界面的SICSIC復合材料，...
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 忍不住傷心 / 發(fā)布時間：2024-03-10 / 21人氣
為了拓展SIC材料在非紫外光電領(lǐng)域的應用，同時實現(xiàn)SIC大功率電力電子器件的非紫外光光控，本課題組首次提出了在SIC襯底上淀積對非紫外光有明顯響應的SI薄膜，制備SISIC異質(zhì)結(jié)。本文系統(tǒng)介紹了用低壓化學氣相淀積LPCVD法在SIC的C面制備SISIC異質(zhì)結(jié)的初步工作，以及用X...
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 如此 / 發(fā)布時間：2024-03-09 / 9人氣
SIC以其優(yōu)異的材料特性，在高溫、大功率和抗輻射器件電子學應用方面顯示出明顯的優(yōu)勢。另外，在化合物半導體中唯有SIC存在本征氧化物SIO2，因此SIC基MOSFET的研究引起高度關(guān)注和極大興趣。本文主要圍繞SIC材料和SIC基MOS器件開展了系列研究。在P型SIC中雜質(zhì)激發(fā)態(tài)的...
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 做個俗人 / 發(fā)布時間：2024-03-11 / 11人氣
本課題將SICW引入反應燒結(jié)碳化硅RBSC體系，提出了一種制備高SICW含量SICWSIC復合材料的思路，研究了材料制備工藝對SICWSIC復合材料顯微結(jié)構(gòu)的影響，討論了SICWC坯體的反應燒結(jié)機理，對材料顯微結(jié)構(gòu)與力學性能的相關(guān)性作了研究。研究了材料的低溫燒結(jié)過程，對SICW燒結(jié)...
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 了斷 / 發(fā)布時間：2024-03-10 / 5人氣
本文以固態(tài)聚碳硅烷HPCS、液態(tài)PCSLPCS、羰基鐵FECO5、二乙烯基苯DVB和碳化硅SIC纖維為原料，采用先驅(qū)體浸漬裂解法PIP制備了含鐵碳化硅纖維增強碳化硅基復合材料SICSIC。研究了先驅(qū)體的固化交聯(lián)工藝及原料各組分對交聯(lián)的影響。同時通過化學組成、微觀結(jié)構(gòu)、物相和力學...
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： Halo / 發(fā)布時間：2024-03-10 / 6人氣
鎂合金具有比強度高、吸震和質(zhì)量輕等很多優(yōu)點，被廣泛應用在汽車、電子、軍事領(lǐng)域中，但是由于它本身耐腐蝕性和耐磨性較差，制約了它在其他領(lǐng)域的應用。本文通過對鎂合金進行化學復合鍍，得到不同SIC顆粒分散的NIPSICMOS2和NIPSIC復合鍍層，通過對比兩種復合鍍層的形...
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 走點心 / 發(fā)布時間：2024-03-09 / 2人氣
SIC顆粒增強AL基復合材料由于其具有較高的比強度、比剛度、彈性模量、耐磨性和低的密度、較低的熱膨脹系數(shù)等優(yōu)良性能，而被廣泛應用于航空、航天、汽車以及電子行業(yè)等領(lǐng)域。作為復合材料的主要原料，SIC顆粒的顆粒尺寸、純度等，都對復合材料的性能有至關(guān)重要的影響...
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 無授權(quán)自由 / 發(fā)布時間：2024-03-05 / 20人氣
SIC半導體由于具有禁帶寬度大、臨界擊穿電場和熱導率高等特點，在高溫、高壓、大功率器件領(lǐng)域具有廣闊的應用前景。金屬SIC半導體接觸包括SIC歐姆接觸和肖特基接觸，是構(gòu)成SIC器件最基本也是最重要的結(jié)構(gòu)，其質(zhì)量直接影響SIC器件的效率、增益和開關(guān)速度等性能指標。制...
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 乖張氣息 / 發(fā)布時間：2024-03-09 / 7人氣
西北工業(yè)大學碩士學位論文CSIC復合材料表面SIC涂層的改性研究姓名沈季雄申請學位級別碩士專業(yè)材料學指導教師成來飛20040301西北工業(yè)大學工學碩士學位論文ABSTRACTOXIDATIONRESISTANCEOFCSICCOMPOSITESWITHAMULTISICCOATINGSICCSICSHOULDBEIMPROVEDTOMEETTHEDEMANDOFH...
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 也鬼 / 發(fā)布時間：2024-03-01 / 3人氣
碳纖維增韌碳化硅基復合材料（CARBONFIBERREINFCEDSILICONCARBIDEMATRIXCOMPOSITES，CSIC）和碳纖維增韌碳碳化硅雙基復合材料（CARBONFIBERREINFCEDCARBONSILICONCARBIDEBINARYMATRIXCOMPOSITES，CCSIC）具有低密度、高強度、耐高溫、抗氧化等優(yōu)異性能，故其在熱防護...
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 緊擁我 / 發(fā)布時間：2024-03-05 / 6人氣
在SIC陶瓷的活性釬焊法研究中活性釬料的研制是關(guān)鍵之一而研制可滿足在高溫條件下使用要求的釬料又是SIC陶瓷釬焊連接研究的一個重要方向活性釬焊法主要是利用釬料中可與陶瓷材料發(fā)生界面反應的活性元素例如TI、ZR等在釬焊過程中與陶瓷反應實現(xiàn)陶瓷與其他材料的連接本...
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 軟肋 / 發(fā)布時間：2024-03-10 / 7人氣
本文采用熱等靜壓原位合成技術(shù)，以TH2、SIC和石墨粉為原料，制備了不同SIC含量的TI3SIC2SIC復合材料，為擴展TI3SIC2的應用提供了新的思路。TI3SIC2SIC復合材料中SIC含量的最高體積分數(shù)達到了64VOL％。密度測試可知復合材料的相對密度都達到99％左右。性能分析表明，T...
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： F / 發(fā)布時間：2024-03-09 / 4人氣
SIC半導體具有禁帶寬度高、臨界擊穿電場大、熱導率高和電子飽和速度高等優(yōu)異的物理特性，是功率器件領(lǐng)域中SI半導體材料的首選“繼承者”。SICMOSFETS具有導通電阻低、輸入阻抗高、開關(guān)速度快、阻斷電壓高的特點，是一類重要的功率控制器件，在能源、軌道交通、工業(yè)電...
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 夏末微涼 / 發(fā)布時間：2024-03-09 / 3人氣
炭炭復合材料是一種極具前景的高溫吸波材料，為提高其高溫下的抗氧化性能并降低其紅外發(fā)射率，本文設(shè)計制備了SICZSO復合涂層，并采用XRD、SEM、EDS等檢測方法研究了涂層的成分與微觀結(jié)構(gòu)涂層的抗氧化性能及氧化機理，并測試分析了炭炭復合材料、SIC涂層、SICZSO復合...
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 天后 / 發(fā)布時間：2024-03-09 / 4人氣
碳化硅SIC納米晶須是一種尺度在納米級的高強度和高韌性的一維單晶體由碳化硅SIC納米晶須構(gòu)成的膜具有極高的韌性、強度和更優(yōu)良的化學穩(wěn)定性作為涂層可提高金屬基體和陶瓷基體的機械性能及環(huán)境服役行為本文研究了激光直接照射下SIC納米顆粒的生長機理并以SIC納米顆粒...
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 關(guān)山萬里路拔劍起長歌 / 發(fā)布時間：2024-03-11 / 14人氣
SIC陶瓷材料具有耐高溫、低密度、高比強度、高比模量、抗氧化和抗燒蝕等優(yōu)異性能，但脆性大和可靠性差等致命弱點限制了其廣泛應用。SIC晶須增韌補強SIC陶瓷基復合材料有潛力應用于高溫結(jié)構(gòu)件。傳統(tǒng)燒結(jié)法制備溫度高及助燒劑的加入易損傷晶須，降低強韌化效果?；瘜W氣...
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 思念如狂 / 發(fā)布時間：2024-03-11 / 11人氣
以CSIC和SICSIC為代表的連續(xù)纖維增韌碳化硅陶瓷基復合材料CMCSIC具有耐高溫、低密度、高比強、高比模、抗氧化和抗燒蝕等優(yōu)異性能，并且具有類似金屬的斷裂行為、對裂紋不敏感和不發(fā)生災難性損毀等特點，是目前作為航空發(fā)動機熱端部件最具潛力的新型高溫結(jié)構(gòu)材料。航...
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 愛獄 / 發(fā)布時間：2024-03-10 / 5人氣
SIC材料是第三代半導體核心材料之一，具有優(yōu)異的物理化學特性，如高擊穿場強、高熔點、飽和電子漂移速度大等，在高溫、高頻、大功率和抗輻射器件方面具有極其重要的應用價值，具有巨大的發(fā)展?jié)摿蛻们熬?。但是由于SIC是一種間接帶隙半導體材料，其在光學方面上的...
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 像傻瓜一樣 / 發(fā)布時間：2024-03-10 / 8人氣
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