SIC材料由于其優(yōu)良的熱，電，機(jī)械等方面的優(yōu)異性能被廣泛應(yīng)用于冶金，化工，能源，生物，半導(dǎo)體材料與器件等多個(gè)領(lǐng)域。但是，傳統(tǒng)制備方法制備SIC存在制備溫度高，電能消耗量大，環(huán)境污染嚴(yán)重等諸多問題。材料學(xué)者們不斷探索，尋求一種新的綠色制備SIC的工藝，近年來(lái)...
下載價(jià)格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 你的溫度 / 發(fā)布時(shí)間：2024-03-09 / 7人氣
第1頁(yè)共6頁(yè)SIC材料的制備與應(yīng)用摘要摘要本文主要介紹了SIC材料的制備方法，通過不同制備的方法獲得不同結(jié)構(gòu)的SIC，其中主要有ΑSIC、ΒSIC和納米SIC。并介紹了SIC材料在材料中的應(yīng)用。關(guān)鍵詞關(guān)鍵詞ΑSIC；ΒSIC；納米SIC；前言前言SIC是人造強(qiáng)共價(jià)健化合物材料,碳化...
下載價(jià)格：6 賞幣 / 發(fā)布人： 世中仙 / 發(fā)布時(shí)間：2024-03-16 / 7人氣
SICSIC復(fù)合材料是一種新型超高溫材料，在航空航天領(lǐng)域有具有廣闊的應(yīng)用前景，很有希望成為一種性能優(yōu)異的結(jié)構(gòu)吸波材料?；瘜W(xué)氣相滲透法CVI是制備纖維增韌陶瓷基復(fù)合材料的最基本和實(shí)用的方法。本文以減壓化學(xué)氣相滲透法LPCVI制備了具有熱解碳界面的SICSIC復(fù)合材料，...
下載價(jià)格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 忍不住傷心 / 發(fā)布時(shí)間：2024-03-10 / 21人氣
為了拓展SIC材料在非紫外光電領(lǐng)域的應(yīng)用，同時(shí)實(shí)現(xiàn)SIC大功率電力電子器件的非紫外光光控，本課題組首次提出了在SIC襯底上淀積對(duì)非紫外光有明顯響應(yīng)的SI薄膜，制備SISIC異質(zhì)結(jié)。本文系統(tǒng)介紹了用低壓化學(xué)氣相淀積LPCVD法在SIC的C面制備SISIC異質(zhì)結(jié)的初步工作，以及用X...
下載價(jià)格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 如此 / 發(fā)布時(shí)間：2024-03-09 / 9人氣
SIC以其優(yōu)異的材料特性，在高溫、大功率和抗輻射器件電子學(xué)應(yīng)用方面顯示出明顯的優(yōu)勢(shì)。另外，在化合物半導(dǎo)體中唯有SIC存在本征氧化物SIO2，因此SIC基MOSFET的研究引起高度關(guān)注和極大興趣。本文主要圍繞SIC材料和SIC基MOS器件開展了系列研究。在P型SIC中雜質(zhì)激發(fā)態(tài)的...
下載價(jià)格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 做個(gè)俗人 / 發(fā)布時(shí)間：2024-03-11 / 11人氣
本課題將SICW引入反應(yīng)燒結(jié)碳化硅RBSC體系，提出了一種制備高SICW含量SICWSIC復(fù)合材料的思路，研究了材料制備工藝對(duì)SICWSIC復(fù)合材料顯微結(jié)構(gòu)的影響，討論了SICWC坯體的反應(yīng)燒結(jié)機(jī)理，對(duì)材料顯微結(jié)構(gòu)與力學(xué)性能的相關(guān)性作了研究。研究了材料的低溫?zé)Y(jié)過程，對(duì)SICW燒結(jié)...
下載價(jià)格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 了斷 / 發(fā)布時(shí)間：2024-03-10 / 5人氣
本文以固態(tài)聚碳硅烷HPCS、液態(tài)PCSLPCS、羰基鐵FECO5、二乙烯基苯DVB和碳化硅SIC纖維為原料，采用先驅(qū)體浸漬裂解法PIP制備了含鐵碳化硅纖維增強(qiáng)碳化硅基復(fù)合材料SICSIC。研究了先驅(qū)體的固化交聯(lián)工藝及原料各組分對(duì)交聯(lián)的影響。同時(shí)通過化學(xué)組成、微觀結(jié)構(gòu)、物相和力學(xué)...
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鎂合金具有比強(qiáng)度高、吸震和質(zhì)量輕等很多優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用在汽車、電子、軍事領(lǐng)域中，但是由于它本身耐腐蝕性和耐磨性較差，制約了它在其他領(lǐng)域的應(yīng)用。本文通過對(duì)鎂合金進(jìn)行化學(xué)復(fù)合鍍，得到不同SIC顆粒分散的NIPSICMOS2和NIPSIC復(fù)合鍍層，通過對(duì)比兩種復(fù)合鍍層的形...
下載價(jià)格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 走點(diǎn)心 / 發(fā)布時(shí)間：2024-03-09 / 2人氣
SIC顆粒增強(qiáng)AL基復(fù)合材料由于其具有較高的比強(qiáng)度、比剛度、彈性模量、耐磨性和低的密度、較低的熱膨脹系數(shù)等優(yōu)良性能，而被廣泛應(yīng)用于航空、航天、汽車以及電子行業(yè)等領(lǐng)域。作為復(fù)合材料的主要原料，SIC顆粒的顆粒尺寸、純度等，都對(duì)復(fù)合材料的性能有至關(guān)重要的影響...
下載價(jià)格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 無(wú)授權(quán)自由 / 發(fā)布時(shí)間：2024-03-05 / 20人氣
SIC半導(dǎo)體由于具有禁帶寬度大、臨界擊穿電場(chǎng)和熱導(dǎo)率高等特點(diǎn)，在高溫、高壓、大功率器件領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。金屬SIC半導(dǎo)體接觸包括SIC歐姆接觸和肖特基接觸，是構(gòu)成SIC器件最基本也是最重要的結(jié)構(gòu)，其質(zhì)量直接影響SIC器件的效率、增益和開關(guān)速度等性能指標(biāo)。制...
下載價(jià)格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 乖張氣息 / 發(fā)布時(shí)間：2024-03-09 / 7人氣
西北工業(yè)大學(xué)碩士學(xué)位論文CSIC復(fù)合材料表面SIC涂層的改性研究姓名沈季雄申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別碩士專業(yè)材料學(xué)指導(dǎo)教師成來(lái)飛20040301西北工業(yè)大學(xué)工學(xué)碩士學(xué)位論文ABSTRACTOXIDATIONRESISTANCEOFCSICCOMPOSITESWITHAMULTISICCOATINGSICCSICSHOULDBEIMPROVEDTOMEETTHEDEMANDOFH...
下載價(jià)格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 也鬼 / 發(fā)布時(shí)間：2024-03-01 / 3人氣
碳纖維增韌碳化硅基復(fù)合材料（CARBONFIBERREINFCEDSILICONCARBIDEMATRIXCOMPOSITES，CSIC）和碳纖維增韌碳碳化硅雙基復(fù)合材料（CARBONFIBERREINFCEDCARBONSILICONCARBIDEBINARYMATRIXCOMPOSITES，CCSIC）具有低密度、高強(qiáng)度、耐高溫、抗氧化等優(yōu)異性能，故其在熱防護(hù)...
下載價(jià)格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 緊擁我 / 發(fā)布時(shí)間：2024-03-05 / 6人氣
在SIC陶瓷的活性釬焊法研究中活性釬料的研制是關(guān)鍵之一而研制可滿足在高溫條件下使用要求的釬料又是SIC陶瓷釬焊連接研究的一個(gè)重要方向活性釬焊法主要是利用釬料中可與陶瓷材料發(fā)生界面反應(yīng)的活性元素例如TI、ZR等在釬焊過程中與陶瓷反應(yīng)實(shí)現(xiàn)陶瓷與其他材料的連接本...
下載價(jià)格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 軟肋 / 發(fā)布時(shí)間：2024-03-10 / 7人氣
本文采用熱等靜壓原位合成技術(shù)，以TH2、SIC和石墨粉為原料，制備了不同SIC含量的TI3SIC2SIC復(fù)合材料，為擴(kuò)展TI3SIC2的應(yīng)用提供了新的思路。TI3SIC2SIC復(fù)合材料中SIC含量的最高體積分?jǐn)?shù)達(dá)到了64VOL％。密度測(cè)試可知復(fù)合材料的相對(duì)密度都達(dá)到99％左右。性能分析表明，T...
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SIC半導(dǎo)體具有禁帶寬度高、臨界擊穿電場(chǎng)大、熱導(dǎo)率高和電子飽和速度高等優(yōu)異的物理特性，是功率器件領(lǐng)域中SI半導(dǎo)體材料的首選“繼承者”。SICMOSFETS具有導(dǎo)通電阻低、輸入阻抗高、開關(guān)速度快、阻斷電壓高的特點(diǎn)，是一類重要的功率控制器件，在能源、軌道交通、工業(yè)電...
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炭炭復(fù)合材料是一種極具前景的高溫吸波材料，為提高其高溫下的抗氧化性能并降低其紅外發(fā)射率，本文設(shè)計(jì)制備了SICZSO復(fù)合涂層，并采用XRD、SEM、EDS等檢測(cè)方法研究了涂層的成分與微觀結(jié)構(gòu)涂層的抗氧化性能及氧化機(jī)理，并測(cè)試分析了炭炭復(fù)合材料、SIC涂層、SICZSO復(fù)合...
下載價(jià)格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 天后 / 發(fā)布時(shí)間：2024-03-09 / 4人氣
碳化硅SIC納米晶須是一種尺度在納米級(jí)的高強(qiáng)度和高韌性的一維單晶體由碳化硅SIC納米晶須構(gòu)成的膜具有極高的韌性、強(qiáng)度和更優(yōu)良的化學(xué)穩(wěn)定性作為涂層可提高金屬基體和陶瓷基體的機(jī)械性能及環(huán)境服役行為本文研究了激光直接照射下SIC納米顆粒的生長(zhǎng)機(jī)理并以SIC納米顆粒...
下載價(jià)格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 關(guān)山萬(wàn)里路拔劍起長(zhǎng)歌 / 發(fā)布時(shí)間：2024-03-11 / 14人氣
SIC陶瓷材料具有耐高溫、低密度、高比強(qiáng)度、高比模量、抗氧化和抗燒蝕等優(yōu)異性能，但脆性大和可靠性差等致命弱點(diǎn)限制了其廣泛應(yīng)用。SIC晶須增韌補(bǔ)強(qiáng)SIC陶瓷基復(fù)合材料有潛力應(yīng)用于高溫結(jié)構(gòu)件。傳統(tǒng)燒結(jié)法制備溫度高及助燒劑的加入易損傷晶須，降低強(qiáng)韌化效果?；瘜W(xué)氣...
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以CSIC和SICSIC為代表的連續(xù)纖維增韌碳化硅陶瓷基復(fù)合材料CMCSIC具有耐高溫、低密度、高比強(qiáng)、高比模、抗氧化和抗燒蝕等優(yōu)異性能，并且具有類似金屬的斷裂行為、對(duì)裂紋不敏感和不發(fā)生災(zāi)難性損毀等特點(diǎn)，是目前作為航空發(fā)動(dòng)機(jī)熱端部件最具潛力的新型高溫結(jié)構(gòu)材料。航...
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SIC材料是第三代半導(dǎo)體核心材料之一，具有優(yōu)異的物理化學(xué)特性，如高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高熔點(diǎn)、飽和電子漂移速度大等，在高溫、高頻、大功率和抗輻射器件方面具有極其重要的應(yīng)用價(jià)值，具有巨大的發(fā)展?jié)摿蛻?yīng)用前景。但是由于SIC是一種間接帶隙半導(dǎo)體材料，其在光學(xué)方面上的...
下載價(jià)格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 像傻瓜一樣 / 發(fā)布時(shí)間：2024-03-10 / 8人氣
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