基于碳納米管修飾電極的電化學(xué)研究.pdf

1、近幾年,碳納米管以它特有的機(jī)械強(qiáng)度、大的比表面積、快速電子傳遞效應(yīng)和化學(xué)穩(wěn)定性引起了研究者的廣泛關(guān)注。它獨(dú)特的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)，使其很容易產(chǎn)生缺陷，比如高能電子輻射或超聲處理均會(huì)使多壁碳納米管形成較多的錯(cuò)位和缺陷。
　　 因此，碳納米管比起其他的石墨變體有更強(qiáng)的柔韌性和更多的反應(yīng)活性位點(diǎn)，具有了獨(dú)特的電學(xué)性質(zhì)。
　　 本論文用碳納米管制備了修飾電極，以抗壞血酸作為研究對(duì)象，運(yùn)用電化學(xué)表征方法，比較系統(tǒng)的研究了碳納米管修飾電極對(duì)抗

2、壞血酸氧化作用的影響。論文共分為以下三部分：
　　 第一章從碳納米管的結(jié)構(gòu)、性質(zhì)、表征方法以及它的應(yīng)用等方面做了比較詳細(xì)的介紹，由此提出了本論文的整體構(gòu)想。
　　 第二章采用滴涂的方法制備了碳納米管修飾電極，利用此修飾電極分別從電解液的pH值、碳納米管分散液的濃度、碳納米管分散液的滴涂量等方面，對(duì)抗壞血酸的氧化作用進(jìn)行了比較系統(tǒng)的研究。研究結(jié)果表明，在pH值等于5.8的酸性環(huán)境下，碳納米管分散液的濃度為1mg/3ml中，

3、抗壞血酸在電極表面發(fā)生氧化還原反應(yīng)，但是當(dāng)?shù)瓮苛看笥?μL時(shí)，會(huì)阻礙氧化還原反應(yīng)的發(fā)生。
　　 第三章還利用二-[4-（3-巰基丙氧基）-苯基]-二苯基卟啉化合物[TPP(SH)2]，通過(guò)自組裝的技術(shù)制備了修飾電極。運(yùn)用多種電化學(xué)方法（循環(huán)伏安法，交流阻抗技術(shù)，掃描電化學(xué)顯微鏡技術(shù)等）對(duì)此修飾電極進(jìn)行了表征。結(jié)果表明，在金電極的表面可以成功的組裝一層卟啉從而制備修飾電極，此電極能夠?qū)Χ喟桶泛涂箟难徇M(jìn)行分離測(cè)定，在AA濃度為1.