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1、本論文采用了一種新修飾方法,成功獲得利用吡啶分子修飾TiO2多孔薄膜的產(chǎn)物。 通過(guò)先在400℃抽真空條件下使得TiO2多孔薄膜表面形成懸垂鍵,然后利用吡啶分子與活潑的懸垂鍵反應(yīng),獲得吡啶修飾的TiO2多孔薄膜。FTIR和XPS結(jié)果表明吡啶通過(guò)Ti-N化學(xué)鍵與Ti相連。 與未修飾前的TiO2多孔薄膜相比,吡啶修飾的TiO2多孔薄膜在可見(jiàn)光范圍的吸收有所增加。其原因歸結(jié)為吡啶與TiO2中Ti形成電子耦合。Mott-Schot
2、tky測(cè)試、可變電勢(shì)光譜法和零電流電勢(shì)研究表明:與未修飾的TiO2多孔薄膜相比,吡啶修飾的TiO2多孔薄膜的平帶電位向更正的方向移動(dòng)。這種現(xiàn)象的出現(xiàn)是由于在TiO2多孔薄膜表面形成Ti-R(R=吡啶)。并且這種平帶電位正移現(xiàn)象在利用其他有機(jī)分子,如1-甲基咪唑、吡咯和噻吩修飾后的TiO2多孔薄膜中也能發(fā)現(xiàn)。 研究了吡啶修飾的TiO2多孔薄膜的光(電)化學(xué)穩(wěn)定性。在-2.0V~2.0V區(qū)域中對(duì)吡啶修飾的TiO2多孔薄膜進(jìn)行電勢(shì)掃描
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