CdS納米晶、TiO-,2--CdS核殼結(jié)構(gòu)納米棒薄膜電極的制備及其光電化學(xué)性能研究.pdf

1、進(jìn)入二十世紀(jì)以來，利用無污染的太陽能成為人們解決能源危機(jī)和環(huán)境污染問題的一條重要途徑。將太陽能轉(zhuǎn)化為電能的太陽能電池成為科學(xué)家們研究的熱點(diǎn)。硫化鎘是Ⅱ-Ⅵ族化合物半導(dǎo)體材料，其禁帶寬度約為2.42eV，是一種典型的光電材料。由于其合適的帶隙寬度、較長的壽命、容易合成等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛的用于太陽能電池的光陽極來研究。同時(shí)，TiO<,2>是一種廉價(jià)、安全、應(yīng)用范圍廣的太陽能電池用材料，但是由于其禁帶寬度較大(3.2eV)，使其只能吸收太陽光中的

2、紫外光部分，導(dǎo)致其轉(zhuǎn)化效率較低，因此要對(duì)其進(jìn)行敏化，提高其轉(zhuǎn)化效率，更加有效的利用太陽能。CdS的窄帶隙能決定了其可以用來敏化TiO<,2>電極。 本文利用水熱法合成CdS納米顆粒，并通過“刮刀法”制備了CdS納米晶薄膜電極，還研究了不同的煅燒溫度對(duì)其光電化學(xué)性能的影響。研究結(jié)果表明CdS納米晶薄膜電極在380℃煅燒30min的條件下具有較高的光電化學(xué)性能。 在利用“刮刀法”制備了TiO<,2>納米棒薄膜電極后，本文進(jìn)一