擴展電阻的測量方法和外延工藝優(yōu)化.pdf

1、半導(dǎo)體產(chǎn)品直徑的不斷變大，一方面對外延工藝的均勻性很高，而且對于過渡區(qū)的要求也越來越高，通過改進現(xiàn)有的擴展電阻儀器的測量方法，可以提高測試儀器的準(zhǔn)確度和穩(wěn)定度，從而可以得到比較真實的，可靠的數(shù)據(jù)。
　　本文主要論述了擴展電阻技術(shù)的測量方法以及外延工藝的優(yōu)化，借此提高產(chǎn)品的市場競爭力。本文詳細(xì)論述了擴展電阻技術(shù)的測量方法，通過改進探針狀態(tài)，增加校驗樣片和校驗片的頻次以及校驗片過渡區(qū)的測量，得出擴展電阻技術(shù)測試的準(zhǔn)確度可以達到99％。

2、基于該擴展電阻技術(shù)，優(yōu)化了外延工藝，以8寸肖特基產(chǎn)品為例(厚度為10.5um，電阻率為1.64Ωcm，過渡區(qū)寬度要求為2um)。采用傳統(tǒng)工藝，外延片的中心和邊緣區(qū)域過渡區(qū)的寬度不滿足2um，采用二步外延法后，即加了0.4um的純度之后，中心和邊緣區(qū)域過渡區(qū)的寬度仍然不滿足2um。通過優(yōu)化背封方法以及二步外延方法的工藝，中心和邊緣區(qū)域的過渡區(qū)滿足了2um的要求，但是邊緣區(qū)域因為自摻雜嚴(yán)重不能滿足要求。邊緣區(qū)域的過渡區(qū)比中心區(qū)域的過渡區(qū)更緩