單層二硫化鉬薄膜的制備及銀納米顆粒優(yōu)化其晶體管光響應(yīng)性能研究.pdf

1、近年來，硅半導(dǎo)體材料器件工藝的發(fā)展即將遇到瓶頸，摩爾定律也將走向終結(jié).因此，科學(xué)家將更多精力集中在擁有極高潛能的一維、二維納米材料上。作為二維半導(dǎo)體材料的代表，二硫化鉬以其極高的開關(guān)比、較高的電子遷移率、單分子層厚度以及柔性可彎曲的特點得到了最廣泛的研究。另外，因具有直接帶隙及很高的比表面積，二硫化鉬在光電探測領(lǐng)域顯示巨大的應(yīng)用前景。然而，目前高質(zhì)量大面積二硫化鉬薄膜的制備依舊是一大難點，且二硫化鉬基光電探測器的響應(yīng)率較低。
　　

2、基于以上研究現(xiàn)狀，本人系統(tǒng)地開展了以下兩方面研究：
　　1，二硫化鉬的生長機理，尤其是反應(yīng)體系蒸氣壓對反應(yīng)產(chǎn)物的影響。研究發(fā)現(xiàn)只有在一個較為嚴苛的反應(yīng)窗口期內(nèi)，才能穩(wěn)定得到大面積的三角形二硫化鉬單晶。我們制備的晶體薄膜邊長可達到178μm，且厚度為單層。通過形貌、晶體結(jié)構(gòu)、拉曼與光致發(fā)光光譜以及X射線光電子能譜的表征，我們確定了得到的二硫化鉬具有極高的質(zhì)量。
　　2，通過在二硫化鉬表面沉積銀納米顆粒（Ag NPs），產(chǎn)生局域