用Franz-Keldysh效應研究GaAs氧化表面及表面硫化學鈍化處理新探.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、該文利用表面-本征層-重摻雜層(s-i-n<'+>)結構,用光調制反射譜觀察到了大量的Franz-Keldysh振蕩(FKO),精確地測量出了本征層地電場,從而首次精確地研究了GaAs表面硫鈍化前后的表面費米能級,估計了表面態(tài)密度的變化.作者用了一系列的硫化物對GaAs表面進行鈍化處理,發(fā)現(xiàn)了鈍化對光反射譜影響規(guī)律,鈍化形成了Ga-S成分,這種成分是GaAs的一個理想的鈍化層.實驗結果表明,由于費米能級向價帶移動而影響了電場的變化,用N

2、a<,2>S、S<,2>Cl<,2>、CH<,3>CHNH<,2>鈍化GaAs表面,費米能級分別移動0.05eV、0.10eV和0.11eV.并且,作者得出結論,GaAs的表面復便率和表面態(tài)密度因為硫化而減小了,因此費米能級不但釘扎減弱了,而且改變了釘扎的位置.該文作者認為,Na<,2>S鈍化GaAs表面后還含有氧,但是用CH<,3>CSNH<,2>進行鈍化能形成比Na<,2>S和S<,2>Cl<,2>鈍化更密的Ga和As的硫化層.再者

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