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文檔簡介
1、本文對GaAs半導體材料進行了濕法硫鈍化研究，以提高其光學性質，得出鈍化處理20min后，其發(fā)光強度為處理前的6倍。同時對鈍化效果的穩(wěn)定性進行了分析，并提出鈍化后再沉積Al2O3薄膜的方法，有效解決了濕法硫鈍化穩(wěn)定性差的問題。GaAsSb是重要的GaAs合金材料，分別對GaAs0.95Sb0.05和GaAs0.04Sb0.96材料進行了濕法硫鈍化研究，以提高其表面發(fā)光強度。GaAs0.95Sb0.05材料在鈍化處理15min后，其發(fā)光強
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