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1、本文在自行設(shè)計(jì)的用于飛行器表面的放電電極板上實(shí)現(xiàn)輝光放電,產(chǎn)生出一薄層的低溫等離子體,利用放電所產(chǎn)生輝光等離子體的量與光譜輻射強(qiáng)度間存在的對(duì)應(yīng)關(guān)系,通過(guò)光柵單色儀對(duì)沿面放電的輝光等離子體進(jìn)行了光譜測(cè)量,獲得了其光譜譜線。數(shù)據(jù)處理后的分析結(jié)果表明,等離子體光輻射強(qiáng)度與頻率間存在線性關(guān)系;當(dāng)電極間距d=0mm時(shí),光輻射強(qiáng)度最大,在d=0mm兩側(cè)呈線性下降分布,兩側(cè)幾乎對(duì)稱。研究結(jié)果表明可以通過(guò)沿面輝光放電的輻射特性與加載功率、電極板間距之間
2、的關(guān)系來(lái)描述輝光放電等離子體的特性,以及控制等離子體的產(chǎn)生量。 主要研究?jī)?nèi)容包括: 1.輝光等離子體源光強(qiáng)輻射的檢測(cè):對(duì)常壓下的輝光等離子體源進(jìn)行光學(xué)測(cè)量,利用一臺(tái)WDL30型光電直讀單色儀和濱松CR135型光電倍增管得出其輻射光譜譜圖。 2.輝光等離子體源的性質(zhì)分析:等離子體具有光輻射特性,利用APGD等離子體光輻射特性測(cè)試來(lái)對(duì)輝光等離子體源的性質(zhì)進(jìn)行分析。通過(guò)改變電參數(shù)和放電電極結(jié)構(gòu)尺寸獲得了等離子體輻射強(qiáng)度
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