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文檔簡介
1、有源相控陣?yán)走_(dá)技術(shù)近年來發(fā)展迅速,已成為當(dāng)今相控陣?yán)走_(dá)發(fā)展的一個(gè)重要方向。T/R組件是有源相控陣?yán)走_(dá)的核心,隨著數(shù)字技術(shù)的發(fā)展,原先只能用模擬電路實(shí)現(xiàn)的T/R組件現(xiàn)在已可以用數(shù)字T/R組件實(shí)現(xiàn)。本文研究和設(shè)計(jì)了一種用于低頻遠(yuǎn)程有源相控陣?yán)走_(dá)的數(shù)字T/R組件,該數(shù)字T/R組件發(fā)射時(shí)基于DDS技術(shù)產(chǎn)生雷達(dá)所需的各種信號(hào)形式并實(shí)現(xiàn)數(shù)字移相,經(jīng)過功率放大、濾波后實(shí)現(xiàn)高功率輸出;接收時(shí)利用數(shù)字接收機(jī)技術(shù),采用直接中頻采樣的方式,輸出數(shù)字I/Q信號(hào)
2、,后續(xù)處理完全在數(shù)字域進(jìn)行,組件發(fā)射輸入與接收輸出都是數(shù)字信號(hào),實(shí)現(xiàn)了數(shù)字化的T/R組件設(shè)計(jì)。數(shù)字T/R組件包括發(fā)射單元、高頻接收單元、數(shù)字中頻接收單元、濾波器、電源和控制接口等。組件的接收/發(fā)射支路采用了先進(jìn)的封裝技術(shù)和集成電路設(shè)計(jì)技術(shù),實(shí)現(xiàn)模塊小型化,電路高密度集成化設(shè)計(jì);采用LDMOS單管實(shí)現(xiàn)350瓦高功率,分布式供電實(shí)現(xiàn)長脈寬、大占空比的高性能設(shè)計(jì);綜合考慮組件內(nèi)各電路模塊的電訊、結(jié)構(gòu)、冷卻需求,進(jìn)行優(yōu)化集成,實(shí)現(xiàn)了性能的可靠性
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