X波段T-R組件的MCM技術(shù)研究.pdf

1、本文利用MCM組裝技術(shù)，設(shè)計了一個X波段發(fā)射功率大于8.5W的T/R組件。在設(shè)計過程中，我們針對組件的頻段高、功率大、串?dāng)_嚴重及可靠性要求高等特點，重點研究了T/R組件互連線的噪聲分析與設(shè)計、熱分析與設(shè)計以及失效模型建立等關(guān)鍵技術(shù)。 在T/R組件互連線的噪聲分析與設(shè)計部分，本文提出了一種新的耦合互連線串?dāng)_噪聲的估計方法。該方法通過在頻域解耦，使復(fù)雜的耦合模型轉(zhuǎn)化為獨立的簡化互連線模型。實驗數(shù)據(jù)顯示，此方法的誤差相對于ADS仿真結(jié)

2、果小于5.95％，表明了該方法在串?dāng)_噪聲分析中的準確性和有效性。然后利用此方法分析研究了影響噪聲峰值的關(guān)鍵因素，為T/R組件的噪聲優(yōu)化設(shè)計提供了依據(jù)。 在熱分析與設(shè)計部分中，本文利用有限元分析軟件ANSYS，通過合理優(yōu)化元件的布局，計算了其溫度場與熱應(yīng)力分布，研究了影響溫度峰值的關(guān)鍵因素，提出了改善散熱性能的措施。 最后，綜合考慮了GaAs MMIC和MCM失效模式與機理，提出了適合我國工藝情況的T/R MCM失效率預(yù)計